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FK14VS-9-T2

更新时间: 2024-10-28 19:05:15
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 202K
描述
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 450V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220S, 3 PIN

FK14VS-9-T2 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-220S
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数:3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.76
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:450 V最大漏极电流 (ID):14 A
最大漏源导通电阻:0.65 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSSO-G2元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):42 A认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

FK14VS-9-T2 数据手册

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