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FII30-09G

更新时间： 2024-10-02 18:17:47

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		栅
页数	文件大小	规格书
6页	154K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 42A I(C), 900V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS, I4PAC-5

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FII30-09G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T5	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.29	其他特性：	HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	42 A
集电极-发射极最大电压：	900 V	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：	R-PSIP-T5	JESD-609代码：	e1
元件数量：	2	端子数量：	5
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	690 ns	标称接通时间 (ton)：	42 ns
Base Number Matches：	1

FII30-09G 数据手册

Advance Technical Infomation

FII 30-09G

HiPerFAST^TMIGBT

I_C25

V_CES

= 42 A

= 900 V

V_CE(sat)typ.= 2.7 V

B2-Class High Speed

IGBTs copak with FREDs

t_fityp

= 165 ns

PhaselegTopology

in ISOPLUS i4-PAC^TM

Features

IGBTs

ꢀ

B2-Class IGBT

High frequency IGBT

High current handling capability

MOS Gate tutrn ON-drive simplicity

HiPerFRED^TMdiode

Symbol

V_CES

Conditions

Maximum Ratings

ꢀ

T_VJ= 25°C to 150°C

900

V_GES

V_GEM

I_C25

Continuous

Transient

T_C= 25°C

T_C= 110°C

- fast reverse recovery

-low operating forward voltage

-low leakage current

I_C110

ISOPLUS i4-PAC^TMpackage

-isolated back surface

ꢀ

SSOA

V_GE= 15 V; R_G= 10 Ω; T_VJ= 125°C

I_CM= 64

-low coupling capacity between pins

and heatsink

-enlarged creepage towards heatsink

-application friendly pinout

-low inductive current path

-high reliability

(RBSOA)

clamped inductive load@V_CES≤ 600 V

P_totper IGBT T_C= 25°C

156

-industry standard outline

- UL registered, E 72873

Symbol

V_CE(sat)

Conditions

Characteristic Values

(T_VJ= 25°C, unless otherwise specified)

min.

typ. max.

Applications

I_C= I_C110; V_GE= 15 V; T_VJ= 25°C

2.2

2.8

2.7

5.0

ꢀ

Single phaseleg

buck-boost chopper

H bridge

-power supplies

-induction heating

-four quadrant DC drives

-controlled rectifier

Three phase bridge

AC drives

T_VJ= 125°C

ꢀ

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250 µA; V_GE= V_CE

3.0

V_CE= V_CES;V_GE= 0 V; T_VJ= 25°C

T_VJ= 125°C

50 µA

750 µA

I_GES

V_CE= 0 V; V_GE

20 V

100 nA

ꢀ

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

E_on

E_off

ꢀ

controlled rectifier

Inductive load, T_VJ= 125°C

V_CE= 720 V; I_C= I_C110

330

360

2.0

V_GE= 15 V; R_G= 5 Ω

5.25

C_ies

Q_Gon

V_CE= 25 V; V_GE= 0 V; f = 1 MHz

V_CE= 450 V; V_GE= 15 V; I_C= 20 A

1.8

R_thJC

R_thJH

0.8 K/W

K/W

with heat transfer paste

1.2

DS99394(05/05)

1 - 4

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

12 3 4 5 6

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与FII30-09G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FII30-12D	IXYS	获取价格	Fast IGBT Chopper in ISOPLUS i4-PACTM
FII30-12E	IXYS	获取价格	NPT3 IGBT
FII40-06D	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS, I4PAC-5
FII40-06D	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS, I4PAC-5
FII50-12E	IXYS	获取价格	NPT IGBT phaseleg
FI-J	JAE	获取价格	Thin Wire Coaxial Connector for Small Portable Devices
FI-J20C2-SH-D	JAE	获取价格	Thin Wire Coaxial Connector for Small Portable Devices
FI-J20C2-SH-D-10000	JAE	获取价格	SHELL, MAGAZINE PAPER
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