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FII40-06D

更新时间： 2024-02-02 22:28:48

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力特 - LITTELFUSE		栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	264K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS, I4PAC-5

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FII40-06D 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T5	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.27	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	40 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-PSIP-T5
JESD-609代码：	e1	元件数量：	2
端子数量：	5	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	125 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	310 ns
标称接通时间 (ton)：	100 ns	VCEsat-Max：	2.2 V
Base Number Matches：	1

FII40-06D 数据手册

FII 40-06D

I_C25

V_CES

= 40 A

= 600 V

IGBT phaseleg

in ISOPLUS i4-PAC™

V_{CE(sat) typ.}= 1.8 V

E72873

Features

IGBT

• NPT IGBT technology

- low saturation voltage

- positive temperature coefﬁcient for

easy paralleling

- fast switching

• HiPerFRED™ diode

- optimized fast and soft reverse

recovery

- low operating forward voltage

- low leakage current

• ISOPLUS i4-PAC™ package

- isolated back surface

- low coupling capacity between pins

and heatsink

- enlarged creepage towards heatsink

- application friendly pinout

- low inductive current path

- high reliability

Symbol

V_CES

Conditions

Maximum Ratings

T_VJ= 25°C to 150°C

600

V_GES

I_C25

I_C90

T_C= 25°C

T_C= 90°C

I_CM

V_CEK

V_GE= 15 V; R_G= 33 Ω; T_VJ= 125°C

V_CES

µs

RBSOA Clamped inductive load; L = 100 µH

t_SC

V_CE= V_CES; V_GE= 15 V; R_G= 33 Ω

(SCSOA) T_VJ= 125°C; non-repetitive

P_tot

T_C= 25°C

125

Symbol

Conditions

Characteristic Values

(T_VJ= 25°C, unless otherwise speciﬁed)

min. typ. max.

V_CE(sat)

I_C= 25 A; V_GE= 15 V

T_VJ= 25°C

T_VJ= 125°C

1.8

2.0

2.2

- industry standard outline

- UL registered E 72873

V_GE(th)

I_CES

I_C= 0.7 mA; V_GE= V_CE

V_CE= V_CES; V_GE= 0 V

4.5

6.5

0.6

Applications

T_VJ= 25°C

T_VJ= 125°C

• single phaseleg

- buck-boost chopper

• H bridge

0.6

I_GES

V_CE= 0 V; V_GE

20 V

200

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

E_on

E_off

270

1.2

0.8

- power supplies

- induction heating

- four quadrant DC drives

- controlled rectiﬁer

• three phase bridge

- AC drives

Inductive load

T_VJ= 125°C

V_CE= 300 V; I_C= 25 A

V_GE= 15 V; R_G= 33 Ω

- controlled rectiﬁer

C_ies

V_CE= 25 V; V_GE= 0 V; f = 1 MHz

V_CE= 300 V; V_GE= 15 V; I_C= 30 A

1.6

Q_Gon

R_thJC

R_thJH

K/W

with heatsink compound

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

20110119a

1 - 4

12 3 4

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