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FII30-12E

更新时间： 2024-02-07 18:57:41

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IXYS		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	72K
描述
NPT3 IGBT

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FII30-12E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	ISOPLUS	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T5
针数：	5	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.83	其他特性：	HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	33 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：	R-PSIP-T5	JESD-609代码：	e1
元件数量：	2	端子数量：	5
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	495 ns
标称接通时间 (ton)：	310 ns	Base Number Matches：	1

FII30-12E 数据手册

FII 30-12E

NPT³IGBT

I_C25

V_CES

V_CE(sat)typ= 2.4 V

= 33 A

= 1200 V

Phaseleg Topology

in ISOPLUS i4-PAC^TM

Features

• NPT³IGBT

IGBTs

Symbol

V_CES

Conditions

Maximum Ratings

-positive temperature coefficient of

saturation voltage for easy paralleling

-fast switching

-short tail current for optimized

performance in resonant circuits

• HiPerFRED^TMdiode

T_VJ= 25°C to 150°C

1200

V_GES

I_C25

I_C90

T_C= 25°C

T_C= 90°C

-fast reverse recovery

-low operating forward voltage

-low leakage current

I_CM

V_CEK

V_GE= 15 V; R_G= 68 Ω; T_VJ= 125°C

V_CES

µs

RBSOA, Clamped inductive load; L = 100 µH

• ISOPLUS i4-PAC^TMpackage

-isolated back surface

t_SC

(SCSOA)

V_CE= 900V; V_GE= 15 V; R_G= 68 Ω; T_VJ= 125°C

non-repetitive

-low coupling capacity between pins

and heatsink

-enlarged creepage towards heatsink

-application friendly pinout

-low inductive current path

-high reliability

P_tot

T_C= 25°C

150

Symbol

Conditions

Characteristic Values

(T_VJ= 25°C, unless otherwise specified)

-industry standard outline

- UL registered, E 72873

min.

typ. max.

V_CE(sat)

I_C= 20 A; V_GE= 15 V; T_VJ= 25°C

T_VJ= 125°C

2.4

2.8

2.9

Applications

• single phaseleg

-buck-boost chopper

• H bridge

-power supplies

-induction heating

-four quadrant DC drives

-controlled rectifier

• three phase bridge

-AC drives

V_GE(th)

I_CES

I_C= 0.6 mA; V_GE= V_CE

4.5

6.5

V_CE= V_CES;V_GE= 0 V; T_VJ= 25°C

T_VJ= 125°C

0.2 mA

0.2

I_GES

V_CE= 0 V; V_GE

20 V

200 nA

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

E_on

E_off

205

105

320

175

4.1

Inductive load, T_VJ= 125°C

V_CE= 600 V; I_C= 20 A

V_GE= 15 V; R_G= 68 Ω

-controlled rectifier

1.5

C_ies

Q_Gon

V_CE= 25 V; V_GE= 0 V; f = 1 MHz

V_CE= 600 V; V_GE= 15 V; I_C= 20 A

1.2

100

R_thJC

R_thJH

0.8 K/W

K/W

with heat transfer paste

1.2

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

1 - 4

12 3 4

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