生命周期: | Obsolete | 包装说明: | DISK BUTTON, O-CRDB-F4 |
针数: | 4 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.74 | 其他特性: | LOW NOISE, HIGH RELIABILITY |
外壳连接: | SOURCE | 配置: | SINGLE |
最小漏源击穿电压: | 3.5 V | FET 技术: | HIGH ELECTRON MOBILITY |
最高频带: | KU BAND | JESD-30 代码: | O-CRDB-F4 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 4 |
工作模式: | DEPLETION MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | DISK BUTTON | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
功耗环境最大值: | 0.18 W | 最小功率增益 (Gp): | 11 dB |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET RF Small Signal |
表面贴装: | YES | 端子形式: | FLAT |
端子位置: | RADIAL | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
FHX14X | EUDYNA | GaAs FET & HEMT Chips |
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FHX34X | FUJITSU | RF Small Signal Field-Effect Transistor, KU Band, Silicon, N-Channel, High Electron Mobili |
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FHX35LG | FUJITSU | Low Noise HEMT |
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FHX35LG/002 | FUJITSU | Low Noise HEMT |
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FHX35LP | FUJITSU | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Silicon, N-Channel, High Elec |
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FHX35X | FUJITSU | Low Noise HEMT |
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