FHX35LP

更新时间： 2024-01-03 06:18:14

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富士通 - FUJITSU		/
页数	文件大小	规格书
4页	158K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Silicon, N-Channel, High Electron Mobility FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC PACKAGE-4

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FHX35LP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	DIE
包装说明：	UNCASED CHIP, R-XUUC-N	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.28	其他特性：	LOW NOISE, HIGH RELIABILITY
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	4 V
FET 技术：	HIGH ELECTRON MOBILITY	最高频带：	KU BAND
JESD-30 代码：	R-XUUC-N	元件数量：	1
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)：	8.5 dB	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：	1

FHX35LP 数据手册

FHX35X/002

FHX35LG/002

Low Noise HEMT

DESCRIPTION

The FHX35X/002 Chip and FHX35LG/002 packaged devices are HEMT

(High Electron Mobility Transistor) ones suitable for use as the front end

of an optical receiver in high speed lightwave communication systems.

This HEMT combines high transconductance, low gate capacitance and

low leakage current; all important factors in achieving low noise

preamplification. Fujitsu’s stringent Quality Assurance criteria and

detailed Test Procedures assure Highest Reliabiltity Performance.

FEATURES

• High Transconductance

• Low Leakage Current

• Low Gate Capacitance

• Gold Bonding System

• Proven Reliability

LG PACKAGE

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ambient Temperature T =25°C)

Item

Symbol

Conditions

Ratings

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Total Power Dissipation

Storage Temperature

Channel Temperature

Thermal Resistance

-5

290

-65 to 175

+175

150

°C

stg

°C/W

Channel to Case

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ambient Temperature T =25°C)

Limits

Min.

Item

Drain Current

Symbol

Conditions

Unit

Min.

Max.

=2V, V =0V

DSS

Transconductance

=2V, I =10mA

DS DS

-0.2

-1.0

=2V, I =1mA

Pinch-off Voltage

-2.0

=-2V

Gate-Source Leakage Current

GSO

FHX35X/002

0.27

0.47

=3V

Gate-Source Capacitance

Gate-Drain Capacitance

=10mA

FHX35LG/002

=3V, I =10mA

0.035

Edition 1.1

May 1998

12 3 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
FHX35X	FUJITSU	Low Noise HEMT	获取价格
FHX35X/002	FUJITSU	Low Noise HEMT	获取价格
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