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FHX14LP

更新时间： 2024-02-08 09:27:15

品牌	Logo	应用领域
富士通 - FUJITSU		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	69K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Silicon, N-Channel, High Electron Mobility FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC PACKAGE-4

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FHX14LP 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	DISK BUTTON, O-CRDB-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.74	其他特性：	LOW NOISE, HIGH RELIABILITY
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	3.5 V	FET 技术：	HIGH ELECTRON MOBILITY
最高频带：	KU BAND	JESD-30 代码：	O-CRDB-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	DEPLETION MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	0.18 W	最小功率增益 (Gp)：	11 dB
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET RF Small Signal
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FHX13LG/LP, 14LG/LP

Super Low Noise HEMT

POWER DERATING CURVE

200

150

100

150

200

Ambient Temperature (¡C)

DRAIN CURRENT vs. DRAIN-SOURCE VOLTAGE

=0V

-0.2V

-0.4V

-0.6V

-0.8V

Drain-Source Voltage (V)

123 4 5 6 7

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
FHX14X	EUDYNA	GaAs FET & HEMT Chips	获取价格
FHX34X	FUJITSU	RF Small Signal Field-Effect Transistor, KU Band, Silicon, N-Channel, High Electron Mobili	获取价格
FHX35LG	FUJITSU	Low Noise HEMT	获取价格
FHX35LG/002	FUJITSU	Low Noise HEMT	获取价格
FHX35LP	FUJITSU	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Silicon, N-Channel, High Elec	获取价格
FHX35X	FUJITSU	Low Noise HEMT	获取价格