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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | UNCASED CHIP, X-XUUC-N |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 最小漏源击穿电压： | 3 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.01 A |
| FET 技术： | HIGH ELECTRON MOBILITY | 最高频带： | KU BAND |
| JESD-30 代码： | X-XUUC-N | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | UNSPECIFIED |
| 封装形式： | UNCASED CHIP | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| FHX35LG | FUJITSU | Low Noise HEMT |
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| FHX35LG/002 | FUJITSU | Low Noise HEMT |
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| FHX35LP | FUJITSU | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Silicon, N-Channel, High Elec |
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| FHX35X | FUJITSU | Low Noise HEMT |
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| FHX35X/002 | FUJITSU | Low Noise HEMT |
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| FHX45X | EUDYNA | GaAs FET & HEMT Chips |
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