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FFAF10U170STU

更新时间： 2024-11-21 19:52:43
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网高压二极管
页数 文件大小 规格书
4页 62K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 10A, 1700V V(RRM), Silicon, TO-3PF, 2 PIN

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FFAF10U170STU 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-3PF包装说明：R-PSFM-T2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.73其他特性：HIGH RELIABILITY
应用：HIGH VOLTAGE外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：2.2 V
JESD-30 代码：R-PSFM-T2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：100 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最大输出电流：10 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：1700 V
最大反向恢复时间：0.14 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLEBase Number Matches：1

FFAF10U170STU 数据手册

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FFAF10U170S  
Features  
•
•
•
High voltage and high reliability  
High speed switching  
Low forward voltage  
TO-3PF  
Applications  
1
2
•
Suitable for damper diode in horizontal  
deflection circuits  
1. Cathode  
2. Anode  
DAMPER DIODE  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
1700  
10  
Units  
V
Peak Repetitive Reverse Voltage  
V
A
A
RRM  
I
I
Average Rectified Forward Current  
Non-repetitive Peak Surge Current  
@ T = 125°C  
C
F(AV)  
FSM  
100  
60Hz Single Half-Sine Wave  
T
T
Operating Junction and Storage Temperature  
- 65 to +150  
°C  
J, STG  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
R
Maximum Thermal Resistance, Junction to Case  
1.5  
°C/W  
θJC  
Electrical Characteristics T =25 °C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
V
Maximum Instantaneous Forward Voltage  
V
FM  
*
I = 10A  
T
T
= 25 °C  
= 125 °C  
-
-
-
-
2.2  
2.0  
F
C
C
I = 10A  
F
I
Maximum Instantaneous Reverse Current  
mA  
RM  
*
@ rated V  
T
T
= 25 °C  
= 125 °C  
-
-
-
-
0.1  
10  
R
C
C
t
t
Maximum Reverse Recovery Time  
-
-
-
-
-
-
140  
400  
13  
ns  
ns  
V
rr  
(I =1A, di/dt = 50A/µs)  
F
Maximum Forward Recovery Time  
fr  
(I =6.5A, di/dt = 50A/µs)  
F
V
Maximum Forward Recovery Voltage  
FRM  
* Pulse Test: Pulse Width=300µs, Duty Cycle=2%  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, June 2001  
1234

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