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FF650R17IE4PBOSA1

更新时间： 2024-11-05 20:06:31

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网栅功率控制晶体管
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10页	580K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-10

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FF650R17IE4PBOSA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X10	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	50 weeks
风险等级：	5.54	其他特性：	UL APPROVED
外壳连接：	ISOLATED	集电极-发射极最大电压：	1700 V
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR	JESD-30 代码：	R-PUFM-X10
元件数量：	2	端子数量：	10
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	1870 ns	标称接通时间 (ton)：	720 ns
Base Number Matches：	1

FF650R17IE4PBOSA1 数据手册

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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Modul

IGBT-Module

FF650R17IE4P

PrimePACK™2ꢀModulꢀmitꢀTrench/FeldstoppꢀIGBT4ꢀundꢀEmitterꢀControlledꢀDiode

PrimePACK™2ꢀmoduleꢀwithꢀTrench/FieldstopꢀIGBT4ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀdiode

V_CES= 1700V

I_{C nom}= 650A / I_CRM= 1300A

TypischeꢀAnwendungen

• Hochleistungsumrichter

• Motorantriebe

TypicalꢀApplications

• Highꢀpowerꢀconverters

• Motorꢀdrives

• Windgeneratoren

• Windꢀturbines

ElektrischeꢀEigenschaften

• HoheꢀKurzschlussrobustheit

• HoheꢀStoßstromfestigkeit

• HoheꢀStromdichte

ElectricalꢀFeatures

• Highꢀshort-circuitꢀcapability

• Highꢀsurgeꢀcurrentꢀcapability

• Highꢀcurrentꢀdensity

• T_vjꢀopꢀ=ꢀ150°C

• V_CEsatꢀꢀmitꢀpositivemꢀTemperaturkoeffizienten

• V_CEsatꢀꢀwithꢀpositiveꢀtemperatureꢀcoefficient

MechanischeꢀEigenschaften

• 4ꢀkVꢀACꢀ1minꢀIsolationsfestigkeit

• GehäuseꢀmitꢀCTIꢀ>ꢀ400

MechanicalꢀFeatures

• 4ꢀkVꢀACꢀ1minꢀinsulation

• PackageꢀwithꢀCTIꢀ>ꢀ400

• GroßeꢀLuft-ꢀundꢀKriechstrecken

• IntegrierterꢀNTCꢀTemperaturꢀSensor

• RoHSꢀkonform

• Highꢀcreepageꢀandꢀclearanceꢀdistances

• IntegratedꢀNTCꢀtemperatureꢀsensor

• RoHSꢀcompliant

• Thermisches Interface Material bereits

• Pre-appliedꢀThermalꢀInterfaceꢀMaterial

aufgetragen

ModuleꢀLabelꢀCode

BarcodeꢀCodeꢀ128

ContentꢀofꢀtheꢀCode

ModuleꢀSerialꢀNumber

Digit

1ꢀ-ꢀꢀꢀ5

ModuleꢀMaterialꢀNumber

ProductionꢀOrderꢀNumber

Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)

Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)

6ꢀ-ꢀ11

12ꢀ-ꢀ19

20ꢀ-ꢀ21

22ꢀ-ꢀ23

DMXꢀ-ꢀCode

preparedꢀby:ꢀSM

approvedꢀby:ꢀRN

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-09-06

revision:ꢀV3.0

ULꢀapprovedꢀ(E83335)

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FF650R17IE4V	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
FF650R17IE4VBOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 930A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-10
FF6AG	GOOD-ARK	获取价格
FF6MR12KM1	INFINEON	获取价格	62 mm?1200 V,?6 mΩ半桥模块，采用CoolSiC? MOSFET芯片。
FF6MR12KM1H	INFINEON	获取价格	62 mm?1200 V,?5.5 mΩ half-bridge module with
FF6MR12KM1HP	INFINEON	获取价格	TIM
FF6MR12KM1P	INFINEON	获取价格	TIM
FF6MR12W2M1_B11	INFINEON	获取价格	PressFIT
FF6MR12W2M1_B70	INFINEON	获取价格	AlN
FF6MR12W2M1H_B11	INFINEON	获取价格	PressFIT

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