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FDZT40RB8.2

更新时间: 2024-11-26 21:11:47
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 测试二极管
页数 文件大小 规格书
9页 972K
描述
Zener Diode,

FDZT40RB8.2 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:R-XBCC-N2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.81其他特性:HIGH RELIABILITY
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJESD-30 代码:R-XBCC-N2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.1 W参考标准:IEC-61000-4-2
标称参考电压:8.2 V表面贴装:YES
技术:ZENER端子形式:NO LEAD
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:5.37%工作测试电流:5 mA
Base Number Matches:1

FDZT40RB8.2 数据手册

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FDZ8.2  
Zener Diode  
Data sheet  
Outline  
PD  
100  
mW  
Features  
Inner Circuit  
High reliability  
High Protection Level ±8kV(IEC61000-4-2 Contact)  
Dimension tolerance±10um  
(1)Cathode  
(2)Anode  
(1)  
(2)  
Application  
Packaging Specifications  
Packing  
Reel Size(mm)  
Taping Width(mm)  
Basic Ordering Unit(pcs)  
Taping Code  
Embossed Tape  
ESD Protection  
180  
4
40000  
T40RB  
KA  
Structure  
Lateral  
Marking  
Absolute Maximum Ratings (Ta=25)  
Parameter  
Symbol  
Limits  
100  
150  
Unit  
mW  
PD  
Power dissipation  
Tj  
Tstg  
Junction temperature  
Storage temperature  
-55 150  
www.rohm.com  
© 2016 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
1/6  
2016/08/30_Rev.002  

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