Datasheet > FDS86265P

FDS86265P

更新时间： 2024-02-02 16:38:16

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	284K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 150V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, SOP-8

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

FDS86265P 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.76	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	150 V	最大漏极电流 (ID)：	1 A
最大漏源导通电阻：	1.2 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	5 pF	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FDS86265P 数据手册

May 2014

FDS86265P

P-Channel PowerTrench^®MOSFET

-150 V, -1 A, 1.2 Ω

Features

General Description

This P-Channel MOSFET is produced using Fairchild

Semiconductor‘s advanced PowerTrench^®process that has

been optimized for the on-state resistance and yet maintain

superior switching performance.

Max r_DS(on)= 1.2 Ω at V_GS= -10 V, I_D= -1 A

Max r_DS(on)= 1.4 Ω at V_GS= -6 V, I_D= -0.9 A

Very low RDS-on mid voltage P-channel silicon technology

optimised for low Qg

This product is optimised for fast switching applications as

well as load switch applications

Applications

Active Clamp Switch

Load Switch

100% UIL Tested

RoHS Compliant

SO-8

Pin 1

MOSFET Maximum Ratings T_A= 25 °C unless otherwise noted

Symbol

V_DS

V_GS

Parameter

Ratings

Units

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

Drain Current -Continuous

-Pulsed

-150

±25

-1

(Note 1a)

I_D

-2

E_AS

P_D

Single Pulse Avalanche Energy

Power Dissipation

(Note 3)

(Note 1)

(Note 1a)

T_C= 25 °C

T_A= 25 °C

Power Dissipation

2.5

T_J, T_STG

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to +150

°C

Thermal Characteristics

R_θJC

R_θJA

Thermal Resistance, Junction to Case

Thermal Resistance, Junction to Ambient

(Note 1)

°C/W

(Note 1a)

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Package

Reel Size

Tape Width

12 mm

Quantity

FDS86265P

SO-8

13 ’’

2500 units

FDS86265P Rev.C

www.fairchildsemi.com

12 3 4 5 6

下载PDF

与FDS86265P相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
FDS86267P	ONSEMI	P 沟道，屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET，-150V，-2.2A，255	获取价格
FDS8638	FAIRCHILD	N-Channel PowerTrench® MOSFET 40 V, 18 A, 4.3	获取价格
FDS8638	ONSEMI	N 沟道，PowerTrench® MOSFET，40V，18A，4.3mΩ	获取价格
FDS86540	FAIRCHILD	N-Channel PowerTrenchÂ® MOSFET 60 V, 18 A, 4.	获取价格
FDS86540	ONSEMI	N 沟道，PowerTrench® MOSFET，60V，18A，4.5mΩ	获取价格
FDS8670	FAIRCHILD	30V N-Channel PowerTrench MOSFET	获取价格