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FDMF6821C

更新时间： 2024-01-09 05:16:25
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安森美 - ONSEMI 服务器主板节能技术开关
页数 文件大小 规格书
20页 643K
描述
超小型，高性能，高频率 DrMOS 模块

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FDMF6821C 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Lifetime Buy
包装说明：QCCN, LCC40,.24SQ,20Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.39.00.01
Factory Lead Time：16 weeks风险等级：1.45
模拟集成电路 - 其他类型：SWITCHING REGULATOR控制模式：VOLTAGE-MODE
JESD-30 代码：S-PQCC-N40JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1端子数量：40
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：50 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：QCCN封装等效代码：LCC40,.24SQ,20
封装形状：SQUARE封装形式：CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
子类别：Switching Regulator or Controllers表面贴装：YES
最大切换频率：1000 kHz温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：Tin (Sn)端子形式：NO LEAD
端子节距：0.5 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

FDMF6821C 数据手册

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FDMF6821C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Typical values are V = 12 V, V  
= 5 V, V  
= 5 V, and T = T = +25°C unless otherwise noted.  
IN  
CIN  
DRV  
A
J
Symbol  
Parameter  
Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
BASIC OPERATION  
I
Quiescent Current  
UVLO Threshold  
VUVLO_Hys UVLO Hysteresis  
PWM INPUT (V = V = 5 V 10%)  
I
= I  
+ I , PWM = LOW or HIGH or Float  
VDRV  
2
mA  
V
Q
Q
VCIN  
VUVLO  
V
Rising  
2.9  
3.1  
0.4  
3.3  
CIN  
V
CIN  
DRV  
RUP_PWM  
RDN_PWM  
VIH_PWM  
VTRI_HI  
Pull−Up Impedance  
V
V
= 5 V  
= 0 V  
26  
kW  
kW  
V
PWM  
Pull−Down Impedance  
PWM High Level Voltage  
3−State Upper Threshold  
3−State Lower Threshold  
PWM Low Level Voltage  
12  
PWM  
1.88  
1.84  
0.70  
0.62  
2.25  
2.20  
0.95  
0.85  
160  
1.60  
2.61  
2.56  
1.19  
1.13  
200  
V
VTRI_LO  
VIL_PWM  
V
V
tD_HOLD−OFF 3−State Shut−Off Time  
3−State Open Voltage  
PWM INPUT (V = V = 5 V 5%)  
ns  
V
VHiZ_PWM  
1.40  
1.90  
CIN  
DRV  
RUP_PWM  
RDN_PWM  
VIH_PWM  
VTRI_HI  
Pull−Up Impedance  
V
V
= 5 V  
= 0 V  
26  
kW  
kW  
V
PWM  
Pull−Down Impedance  
PWM High Level Voltage  
3−State Upper Threshold  
3−State Lower Threshold  
PWM Low Level Voltage  
12  
PWM  
2.00  
1.94  
0.75  
0.66  
2.25  
2.20  
0.95  
0.85  
160  
1.60  
2.50  
2.46  
1.15  
1.09  
200  
V
VTRI_LO  
VIL_PWM  
V
V
tD_HOLD−OFF 3−State Shut−Off Time  
ns  
V
VHiZ_PWM  
3−State Open Voltage  
1.45  
2
1.80  
DISB# INPUT  
VIH_DISB  
VIL_DISB  
High−Level Input Voltage  
Low−Level Input Voltage  
V
V
0.8  
IPLD  
Pull−Down Current  
10  
25  
mA  
tPD_DISBL  
Propagation Delay  
PWM = GND, Delay Between DISB# from HIGH to LOW  
to GL from HIGH to LOW  
ns  
ns  
tPD_DISBH  
Propagation Delay  
PWM = GND, Delay Between DISB# from LOW to HIGH  
to GL from LOW to HIGH  
25  
SMOD# INPUT  
VIH_SMOD  
High−Level Input Voltage  
Low−Level Input Voltage  
2
V
V
VIL_SMOD  
0.8  
IPLU  
Pull−Up Current  
10  
10  
mA  
tPD_SLGLL  
Propagation Delay  
PWM = GND, Delay Between SMOD# from HIGH to  
LOW to GL from HIGH to LOW  
ns  
ns  
tPD_SHGLH  
Propagation Delay  
PWM = GND, Delay Between SMOD# from LOW to  
HIGH to GL from LOW to HIGH  
10  
www.onsemi.com  
6
 
1...3456789...20

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