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FDMF6821A

更新时间： 2024-02-29 03:21:12
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安森美 - ONSEMI 服务器主板节能技术开关
页数 文件大小 规格书
20页 644K
描述
超小型，高性能，高频率 DrMOS 模块

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FDMF6821A 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：QFN-40Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.39.00.01
Factory Lead Time：16 weeks风险等级：1.48
模拟集成电路 - 其他类型：SWITCHING REGULATOR控制模式：VOLTAGE-MODE
控制技术：PULSE WIDTH MODULATION最大输入电压：5.5 V
最小输入电压：4.5 V标称输入电压：5 V
JESD-30 代码：S-PXSS-N43JESD-609代码：e3
长度：6 mm湿度敏感等级：1
功能数量：1端子数量：43
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：60 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：QCCN封装等效代码：LCC40,.24SQ,20
封装形状：SQUARE封装形式：SPECIAL SHAPE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.1 mm子类别：Switching Regulator or Controllers
表面贴装：YES切换器配置：BUCK
最大切换频率：1000 kHz温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：Tin (Sn)端子形式：NO LEAD
端子节距：0.5 mm端子位置：UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：6 mm
Base Number Matches：1

FDMF6821A 数据手册

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FDMF6821A  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Typical values are V = 12 V, V  
= 5 V, V  
= 5 V, and T = T = +25°C unless otherwise noted.  
IN  
CIN  
DRV  
A
J
Symbol  
Parameter  
Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
THERMAL WARNING FLAG  
TACT  
TRST  
Activation Temperature  
150  
135  
30  
°C  
°C  
W
Reset Temperature  
RTHWN  
Pull−Down Resistance  
I
= 5 mA  
PLD  
HIGH−SIDE DRIVER (F  
= 1000 kHz, I  
= 30 A, T = +25°C)  
SW  
OUT  
A
RSOURCE_GH Output Impedance, Sourcing  
Source Current = 100 mA  
Sink Current = 100 mA  
GH = 10% to 90%  
1
W
W
RSINK_GH  
tR_GH  
Output Impedance, Sinking  
Rise Time  
0.8  
10  
ns  
tF_GH  
Fall Time  
GH = 90% to 10%  
10  
15  
ns  
ns  
tD_DEADON LS to HS Deadband Time  
GL Going LOW to GH Going HIGH,  
1.0 V GL to 10% GH  
tPD_PLGHL  
tPD_PHGHH  
tPD_TSGHH  
20  
30  
30  
30  
ns  
ns  
ns  
PWM LOW Propagation Delay PWM Going LOW to GH Going LOW,  
V
to 90% GH  
IL_PWM  
PWM HIGH Propagation Delay PWM Going HIGH to GH Going HIGH, V  
to 10%  
IH_PWM  
(SMOD# = 0)  
GH (SMOD# = 0, I  
>0)  
D_LS  
Exiting 3−State Propagation De- PWM (From 3−State) Going HIGH to GH Going HIGH,  
lay to 10% GH  
V
IH_PWM  
LOW−SIDE DRIVER (F  
= 1000 kHz, I  
= 30 A, T = +25°C)  
SW  
OUT  
A
RSOURCE_GL Output Impedance, Sourcing  
Source Current = 100 mA  
Sink Current = 100 mA  
GL = 10% to 90%  
1
W
W
RSINK_GL  
tR_GL  
Output Impedance, Sinking  
Rise Time  
0.5  
30  
ns  
tF_GL  
Fall Time  
GL = 90% to 10%  
15  
15  
ns  
ns  
tD_DEADOFF HS to LS Deadband Time  
SW Going LOW to GL Going HIGH,  
2.2 V SW to 10% GL  
tPD_PHGLL  
tPD_TSGLH  
10  
20  
25  
ns  
ns  
PWM−HIGH Propagation Delay PWM Going HIGH to GL Going LOW, V  
to 90%  
IH_PWM  
GL  
Exiting 3−State Propagation  
PWM (From 3−State) Going LOW to GL Going HIGH,  
V to 10% GL  
IL_PWM  
Delay  
BOOT DIODE  
V
Forward−Voltage Drop  
I = 20 mA  
0.3  
V
V
F
F
V
R
Breakdown Voltage  
I
R
= 1 mA  
22  
www.onsemi.com  
7
1...45678910...20

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