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FDMF6821A PDF预览

FDMF6821A

更新时间： 2024-02-15 04:13:56
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 服务器主板节能技术开关
页数 文件大小 规格书
20页 644K
描述
超小型，高性能，高频率 DrMOS 模块

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FDMF6821A 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：QFN-40Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.39.00.01
Factory Lead Time：16 weeks风险等级：1.48
模拟集成电路 - 其他类型：SWITCHING REGULATOR控制模式：VOLTAGE-MODE
控制技术：PULSE WIDTH MODULATION最大输入电压：5.5 V
最小输入电压：4.5 V标称输入电压：5 V
JESD-30 代码：S-PXSS-N43JESD-609代码：e3
长度：6 mm湿度敏感等级：1
功能数量：1端子数量：43
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：60 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：QCCN封装等效代码：LCC40,.24SQ,20
封装形状：SQUARE封装形式：SPECIAL SHAPE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.1 mm子类别：Switching Regulator or Controllers
表面贴装：YES切换器配置：BUCK
最大切换频率：1000 kHz温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：Tin (Sn)端子形式：NO LEAD
端子节距：0.5 mm端子位置：UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：6 mm
Base Number Matches：1

FDMF6821A 数据手册

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FDMF6821A  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Min.  
−0.3  
−0.3  
−0.3  
−0.3  
−0.3  
−0.3  
−0.3  
−0.3  
Max.  
6.0  
Unit  
V
VCIN  
VDRV  
Supply Voltage  
Referenced to CGND  
Referenced to CGND  
Referenced to CGND  
Referenced to CGND  
Referenced to CGND  
Referenced to CGND  
Referenced to CGND  
Referenced to PGND, CGND  
Drive Voltage  
6.0  
V
VDISB#  
VPWM  
VSMOD#  
VGL  
Output Disable  
6.0  
V
PWM Signal Input  
Skip Mode Input  
6.0  
V
6.0  
V
Low Gate Manufacturing Test Pin  
Thermal Warning Flag  
6.0  
V
VTHWN#  
6.0  
V
VIN  
Power Input  
25.0  
V
VBOOT  
Bootstrap Supply  
Referenced to VSWH, PHASE  
Referenced to CGND  
−0.3  
−0.3  
6.0  
V
V
25.0  
VGH  
High Gate Manufacturing Test Pin  
Referenced to VSWH, PHASE  
Referenced to CGND  
−0.3  
−0.3  
6.0  
V
V
25.0  
VPHS  
VSWH  
PHASE  
Referenced to CGND  
−0.3  
25.0  
V
Switch Node Input  
Referenced to PGND, CGND (DC Only)  
Referenced to PGND, <20 ns  
−0.3  
−8.0  
25.0  
28.0  
V
V
VBOOT  
Bootstrap Supply  
Referenced to VDRV  
22.0  
25.0  
7.0  
60  
V
V
Referenced to VDRV, <20 ns  
ITHWN#  
IO(AV)  
THWN# Sink Current  
−0.1  
mA  
A
(1)  
Output Current  
f
f
= 300 kHz, V = 12 V, V = 1.0 V  
IN O  
SW  
= 1 MHz, V = 12 V, V = 1.0 V  
55  
SW  
IN  
O
Junction−to−PCB Thermal Resistance  
2.7  
°C/W  
°C  
qJPCB  
T
A
Ambient Temperature Range  
−40  
+125  
T
Maximum Junction Temperature  
+150  
+150  
°C  
°C  
V
J
TSTG  
Storage Temperature Range  
−55  
600  
ESD  
Electrostatic Discharge Protection  
Human Body Model, JESD22−A114  
Charged Device Model, JESD22−C101  
2500  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the device. If any of these limits are exceeded, device functionality  
should not be assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
1. I  
is rated using ON Semiconductor’s DrMOS evaluation board, at T = 25°C, with natural convection cooling. This rating is limited by  
O(AV)  
A
the peak DrMOS temperature, T = 150°C, and varies depending on operating conditions and PCB layout. This rating can be changed with  
J
different application settings.  
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS  
Symbol  
VCIN  
Parameter  
Min.  
4.5  
Typ.  
5.0  
Max.  
5.5  
Unit  
V
Control Circuit Supply Voltage  
Gate Drive Circuit Supply Voltage  
Output Stage Supply Voltage  
VDRV  
VIN  
4.5  
5.0  
5.5  
V
3.0  
12.0  
16.0  
(Note 2)  
V
Functional operation above the stresses listed in the Recommended Operating Ranges is not implied. Extended exposure to stresses beyond  
the Recommended Operating Ranges limits may affect device reliability.  
2. Operating at high V can create excessive AC overshoots on the VSWH−to−GND and BOOT−to−GND nodes during MOSFET switching  
IN  
transients. For reliable DrMOS operation, VSWH−to−GND and BOOT−to−GND must remain at or below the Absolute Maximum Ratings  
shown in the table above. Refer to the “Application Information” and “PCB Layout Guidelines” sections of this datasheet for additional  
information.  
www.onsemi.com  
5
 
12345678...20

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