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FDLL4151 PDF预览

FDLL4151

更新时间： 2024-10-01 22:31:47
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD 整流二极管信号二极管
页数 文件大小 规格书
2页 22K
描述
Small Signal Diode

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FDLL4151 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：O-LELF-R2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.79外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1 V
JESD-30 代码：O-LELF-R2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：4 A
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：200 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：0.2 A封装主体材料：GLASS
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：260最大功率耗散：0.5 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：75 V
最大反向恢复时间：0.004 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：WRAP AROUND端子位置：END
处于峰值回流温度下的最长时间：30Base Number Matches：1

FDLL4151 数据手册

 浏览型号FDLL4151的Datasheet PDF文件第2页 
FDLL4151  
Small Signal Diode  
General Description  
A general purpose diode that couples high forward conductance fast swiching speed and high blocking voltages in a glass leadless  
LL-34 surface mount package. Placement of the expansion gap has no relationship to the location of the cathode terminal which is  
indicated by the first color band.  
Cathode Band  
BLACK  
YELLOW  
Expansion Gap  
Absolute Maximum Ratings *  
T = 25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Maximum Repetitive Reverse Voltage  
Average Rectified Forward Current  
Value  
75  
Units  
V
V
RRM  
F(AV)  
FSM  
I
I
200  
mA  
Non-repetitive Peak Forward Current  
Pulse Width = 1.0 second  
1.0  
4.0  
A
A
Pulse Width = 1.0microsecond  
T
T
Storage Temperature Range  
-65 to +200  
-65 to +200  
°C  
°C  
STG  
J
Operating Junction Temperature  
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1. These ratings are based on a maximum juction temperature of 200 degrees C.  
2. These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Value  
500  
Units  
mW  
P
Power Dissipation  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
D
R
350  
°C/W  
θJA  
Electrical Characteristics  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Min.  
Max  
Units  
V
V
Breakdown Voltage  
I
I
= 5µA  
75  
V
V
R
F
R
F
Forward Voltage  
Reverse Current  
= 50mA  
1
I
V
V
= 50V  
= 30V, T = 150°C  
50  
50  
nA  
µA  
R
R
R
A
C
Total Capacitance  
V
= 0, f = 1.0MHz  
4
4
pF  
ns  
T
R
t
Reverse Recovery Time  
I = I = 10mA, I = 1mA  
F R RR  
rr1  
R = 100Ω  
L
t
Reverse Recovery Time  
V
= 6V, I = 10mA, I = 1mA  
2
ns  
rr2  
R
F
RR  
R = 100Ω  
L
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDLL4151 Rev. B  
1
www.fairchildsemi.com  
12

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