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FDLL4150 PDF预览

FDLL4150

更新时间： 2024-11-30 11:13:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI PC二极管
页数 文件大小 规格书
3页 163K
描述
高导通，Ultrafast 二极管

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FDLL4150 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
包装说明：O-LELF-R2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.71
Samacsys Confidence：4Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：1066587Samacsys Pin Count：2
Samacsys Part Category：DiodeSamacsys Package Category：Other
Samacsys Footprint Name：MiniMELF / SOD-80Samacsys Released Date：2018-11-10 00:00:01
Is Samacsys：N其他特性：ULTRA FAST
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.62 VJESD-30 代码：O-LELF-R2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：4 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最大输出电流：0.2 A封装主体材料：GLASS
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.5 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：50 V
最大反向恢复时间：0.006 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：WRAP AROUND端子位置：END
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

FDLL4150 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
Small Signal Diode  
FDLL4150  
Features  
MiniMELF/SOD−80  
CASE 100AD  
• This is a Pb−Free and Halide Free Device  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
MARKING DIAGRAM  
(Values are at T = 25°C unless otherwise noted.) (Notes 1 and 2)  
A
Cathode Band (Black)  
Symbol  
Parameter  
Working Inverse Voltage  
Value  
50  
Unit  
V
W
IV  
I
Average Rectified Forward Current  
DC Forward Current  
200  
400  
600  
1.0  
mA  
mA  
mA  
A
O
I
F
F
i
Recurrent Peak Forward Current  
I
Non−Repetitive Pulse Width = 1.0 s  
FSM  
(−1st band denotes cathode terminal  
Peak Forward  
Current  
and has wider width)  
Pulse Width = 1.0 ms  
4.0  
T
Storage Temperature Range  
−65 to +200  
°C  
°C  
STG  
ORDERING INFORMATION  
T
J
Operating Junction Temperature  
175  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
1. These ratings are based on a maximum junction temperature of 200_C.  
2. These are steady−state limits. onsemi should be consulted on applications  
involving pulsed or low−duty−cycle operations.  
†
Device  
FDLL4150  
Package  
Shipping  
MiniMELF/SOD−80  
2500 /  
(Pb−Free/Halide Free) Tape & Reel  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Max  
1N/FDLL4150  
Symbol  
Parameter  
Power Dissipation  
Unit  
mW  
P
D
500  
3.33  
300  
Derate above 25°C  
mW/°C  
°C/W  
R
Thermal Resistance,  
Junction to Ambient  
q
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Values are at T = 25°C unless otherwise noted.)  
A
Symbol  
Parameter  
Breakdown Voltage  
Test Conditions  
Min  
75  
−
Max  
−
Unit  
V
B
V
IR = 5.0 mA  
I
R
Reverse Current  
V
R
V
R
= 50 V  
100  
100  
620  
740  
860  
920  
1.0  
2.5  
4.0  
6.0  
10  
nA  
mA  
mV  
= 50 V, T = 150°C  
−
A
V
F
Forward Voltage  
I = 1.0 mA  
F
540  
660  
760  
820  
0.87  
−
I = 10 mA  
F
I = 50 mA  
F
I = 100 mA  
F
I = 200 mA  
F
V
C
t
Diode Capacitance  
V
R
= 0, f = 1.0 MHz  
pF  
ns  
ns  
ns  
O
Reverse Recovery Time  
−
I = I = 10 mA − 200 mA, R = 100 W  
rr  
F
R
L
I = I = 200 mA − 400 mA, R = 100 W  
−
F
R
L
T
FR  
Forward Recovery Time  
I = 200 mA, V = 1.0 V  
−
F
FR  
Product parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for the listed test conditions, unless otherwise noted. Product  
performance may not be indicated by the Electrical Characteristics if operated under different conditions.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 1997  
1
Publication Order Number:  
April, 2023 − Rev. 2  
FDLL4150/D  
 
123

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FDLL4150 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
DL4150-TP MCC

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 暂无描述
LL4150 DIOTEC

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FDLL4150D87Z FAIRCHILD

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