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FDH20N40

更新时间： 2024-11-06 22:07:55
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关
页数 文件大小 规格书
6页 184K
描述
20A, 400V, 0.216 Ohm, N-Channel SMPS Power MOSFET

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FDH20N40 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-247
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.83
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：400 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 A
最大漏极电流 (ID)：20 A最大漏源导通电阻：0.216 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-247
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：273 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDH20N40 数据手册

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October 2002  
FDH20N40 / FDP20N40  
20A, 400V, 0.216 Ohm, N-Channel SMPS Power MOSFET  
Applications  
Features  
•
Low Gate Charge  
Requirement  
Q
results in Simple Drive  
Switch Mode Power Supplies(SMPS), such as  
g
•
•
•
•
•
•
PFC Boost  
•
Improved Gate, Avalanche and High Reapplied dv/dt  
Ruggedness  
Two-Switch Forward Converter  
Single Switch Forward Converter  
Flyback Converter  
•
•
•
•
Reduced r  
DS(ON)  
Buck Converter  
Reduced Miller Capacitance and Low Input Capacitance  
Improved Switching Speed with Low EMI  
175°C Rated Junction Temperature  
High Speed Switching  
Package  
Symbol  
JEDEC TO-247  
JEDEC TO-220AB  
SOURCE  
DRAIN  
GATE  
D
S
SOURCE  
DRAIN  
GATE  
G
DRAIN  
(FLANGE)  
DRAIN  
(FLANGE)  
Absolute Maximum Ratings T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Drain to Source Voltage  
Ratings  
Units  
V
V
400  
V
V
DSS  
GS  
Gate to Source Voltage  
±30  
Drain Current  
o
20  
14  
80  
A
A
Continuous (T = 25 C, V = 10V)  
C
GS  
I
D
o
Continuous (T = 100 C, V = 10V)  
C
GS  
Pulsed (Note 1)  
A
Power dissipation  
Derate above 25 C  
273  
1.82  
W
W/ C  
P
o
o
D
o
T , T  
Operating and Storage Temperature  
Soldering Temperature for 10 seconds  
Mounting Torque, 8-32 or M3 Screw  
-55 to 175  
C
J
STG  
o
300 (1.6mm from case)  
10ibf*in (1.1N*m)  
C
Thermal Characteristics  
o
R
Thermal Resistance Junction to Case  
0.55  
C/W  
θJC  
o
o
o
R
Thermal Resistance Case to Sink, Flat, Greased Surface  
Thermal Resistance Junction to Ambient (TO-247)  
Thermal Resistance Junction to Ambient (TO-220)  
0.24  
40  
C/W  
C/W  
C/W  
θCS  
R
R
θJA  
θJA  
62  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDH20N40 / FDP20N40 Rev. A,  
123456

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