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FDD8870

更新时间： 2024-02-02 04:02:05

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安森美 - ONSEMI		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	512K
描述
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，160A，3.9mΩ

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FDD8870 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-252AA	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.36
雪崩能效等级（Eas）：	690 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	160 A	最大漏极电流 (ID)：	21 A
最大漏源导通电阻：	0.0044 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	160 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FDD8870 数据手册

Typical Characteristics ^T= 25°C unless otherwise noted

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

1.2

1.1

1.0

0.9

= 250µA

= V , I = 250µA

DS D

-80

-40

120

160

200

-80

-40

120

160

200

T , JUNCTION TEMPERATURE ( C)

Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs

Junction Temperature

Figure 12. Normalized Drain to Source

Breakdown Voltage vs Junction Temperature

10000

= 15V

= C + C

GS GD

ISS

+ C

OSS

DS GD

= C

RSS

1000

400

WAVEFORMS IN

DESCENDING ORDER:

= 35A

= 5A

= 0V, f = 1MHz

100

0.1

, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)

Q , GATE CHARGE (nC)

Figure 13. Capacitance vs Drain to Source

Voltage

Figure 14. Gate Charge Waveforms for Constant

Gate Current

FDD8870 / FDU8870 Rev. 1.2

1...3 4 567 8 9...13

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
FDD8870_08	FAIRCHILD	N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET	获取价格
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