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FDC3612

更新时间： 2024-01-08 21:47:08
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
5页 135K
描述
100V N-Channel PowerTrench MOSFET

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FDC3612 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SUPERSOT-6针数：6
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.34配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.6 A
最大漏极电流 (ID)：2.6 A最大漏源导通电阻：0.125 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.8 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDC3612 数据手册

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Electrical Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min Typ Max Units  
Drain-Source Avalanche Ratings (Note 2)  
WDSS  
IAR  
Drain-Source Avalanche Energy  
Drain-Source Avalanche Current  
Single Pulse, VDD = 50 V, ID=2.6 A  
90  
2.6  
mJ  
A
Off Characteristics  
BVDSS  
Drain–Source Breakdown Voltage  
100  
V
VGS = 0 V, ID = 250 µA  
∆BVDSS  
Breakdown Voltage Temperature  
99  
ID = 250 µA, Referenced to 25°C  
mV/°C  
Coefficient  
∆TJ  
IDSS  
IGSSF  
IGSSR  
Zero Gate Voltage Drain Current  
Gate–Body Leakage, Forward  
Gate–Body Leakage, Reverse  
VDS = 80 V, VGS = 0 V  
VGS = 20 V, VDS = 0 V  
VGS = –20 V, VDS = 0 V  
10  
100  
–100  
µA  
nA  
nA  
On Characteristics  
(Note 2)  
VGS(th)  
Gate Threshold Voltage  
2
2.3  
– 6  
4
V
VDS = VGS, ID = 250 µA  
ID = 250 µA, Referenced to 25°C  
∆VGS(th)  
Gate Threshold Voltage  
mV/°C  
Temperature Coefficient  
∆TJ  
V
V
GS = 10 V, ID = 2.6 A  
GS = 6.0 V, ID = 2.5 A  
86  
91  
125  
135  
240  
Static Drain–Source  
On Resistance  
mΩ  
RDS(on)  
157  
VGS = 10 V, ID = 2.6 A;TJ = 125°C  
ID(on)  
gFS  
On–State Drain Current  
Forward Transconductance  
VGS = 10 V, VDS = 5 V  
10  
A
S
VDS = 10 V, ID = 2.6 A  
10  
Dynamic Characteristics  
Ciss  
Coss  
Crss  
Input Capacitance  
660  
55  
40  
pF  
pF  
pF  
VDS = 50 V,  
f = 1.0 MHz  
V GS = 0 V,  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Switching Characteristics (Note 2)  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
Turn–On Delay Time  
Turn–On Rise Time  
Turn–Off Delay Time  
Turn–Off Fall Time  
Total Gate Charge  
Gate–Source Charge  
Gate–Drain Charge  
6
3.5  
23  
3.7  
14  
2.3  
3.6  
11  
7
37  
7.4  
20  
ns  
ns  
ns  
VDD = 50 V,  
VGS = 10 V,  
ID = 1 A,  
RGEN = 6 Ω  
ns  
Qg  
Qgs  
Qgd  
nC  
nC  
nC  
V
V
DS = 50 V,  
GS = 10 V  
ID = 2.6 A,  
Drain–Source Diode Characteristics and Maximum Ratings  
IS  
Maximum Continuous Drain–Source Diode Forward Current  
Drain–Source Diode Forward  
1.3  
1.2  
A
V
VSD  
V
GS = 0 V, IS = 1.3 A  
(Note 2)  
(Note 2)  
0.76  
Voltage  
trr  
Qrr  
Diode Reverse Recovery Time  
Diode Reverse Recovery Charge  
31  
56  
nS  
nC  
IF = 2.6 A  
diF/dt = 100 A/µs  
Notes:  
1. RθJA is the sum of the junction-to-case and case-to-ambient resistance where the case thermal reference is defined as the solder mounting surface of the drain  
pins. RθJC is guaranteed by design while RθCA is determined by the user's board design.  
a. 78°C/W when mounted on a 1in2 pad of 2oz copper on FR-4 board.  
b. 156°C/W when mounted on a minimum pad.  
2. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 µs, Duty Cycle ≤ 2.0%  
FDC3612 Rev B3(W)  
12345

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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