FDA38N30

更新时间： 2024-11-09 12:23:35

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲 PC 局域网
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N-Channel MOSFET 300V, 38A, 0.085Î©

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FDA38N30 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-3PN
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.73
Samacsys Confidence：	3	Samacsys Status：	Released
Samacsys PartID：	1006291	Samacsys Pin Count：	3
Samacsys Part Category：	MOSFET (N-Channel)	Samacsys Package Category：	Transistor Outline, Vertical
Samacsys Footprint Name：	FDA38N30	Samacsys Released Date：	2019-01-03 13:46:16
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	1200 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	300 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	38 A	最大漏极电流 (ID)：	38 A
最大漏源导通电阻：	0.085 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	312 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	150 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FDA38N30 数据手册

January 2012

UniFET

FDA38N30

N-Channel MOSFET

300V, 38A, 0.085Ω

Features

Description

•

R_DS(on)= 0.07Ω ( Typ.) @ V_GS= 10V, I_D= 19A

Low gate charge ( typical 60 nC)

Low C_rss( typical 60 pF)

Fast switching

These N-Channel enhancement mode power field effect transis-

tors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe,

DMOS technology.

This advanced technology has been especially tailored to mini-

mize on-state resistance, provide superior switching perfor-

mance, and withstand high energy pulse in the avalanche and

commutation mode. These devices are well suited for high effi-

cient switched mode power supplies and active power factor

correction.

100% avalanche tested

Improved dv/dt capability

ESD Improved capability

RoHS Compliant

TO-3PN

FDA Series

G D S

MOSFET Maximum Ratings T_C= 25^oC unless otherwise noted

Symbol

Parameter

FDA38N30

Unit

V_DSS

Drain to Source Voltage

300

±30

V_GSS

Gate to Source Voltage

-Continuous (T_C= 25^oC)

-Continuous (T_C= 100^oC)

- Pulsed

I_D

Drain Current

(Note 1)

(Note 2)

I_DM

150

E_AS

I_AR

Single Pulsed Avalanche Energy

Avalanche Current

1200

(Note 1)

(Note 3)

E_AR

dv/dt

Repetitive Avalanche Energy

V/ns

Peak Diode Recovery dv/dt

4.5

312

(T_C= 25^oC)

P_D

Power Dissipation

- Derate above 25^oC

2.5

W/^oC

T_J,T_STG

T_L

Operating and Storage Temperature Range

-55 to +150

°C

Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,

1/8” from Case for 5 Seconds

300

°C

Thermal Characteristics

Symbol

Parameter

Min.

Max.

0.4

Unit

°C/W

R_θJC

R_θCS

R_θJA

Thermal Resistance, Junction-to-Case

Thermal Resistance, Case-to-Sink

0.24

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

FDA38N30 Rev. C0

www.fairchildsemi.com

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