Datasheet > FD800R33KF2-K

FD800R33KF2-K

更新时间： 2024-11-13 21:13:15

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网栅晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	142K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1300A I(C), 3300V V(BR)CES,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

FD800R33KF2-K 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.64
最大集电极电流 (IC)：	1300 A	集电极-发射极最大电压：	3300 V
门极-发射极最大电压：	20 V	元件数量：	1
最高工作温度：	125 °C	最大功率耗散 (Abs)：	9600 W
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	VCEsat-Max：	4.25 V
Base Number Matches：	1

FD800R33KF2-K 数据手册

Technische Information / Technical Information

IGBT-Module

IGBT-Modules

FD 800 R 33 KF2 - K

Datenblatt

data sheet

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

V_CES

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

3300

T_j= 25°C

T_j= -25°C

collector-emitter voltage

I_C,nom.

I_C

800

Kollektor-Dauergleichstrom

DC-collector current

T_C= 80°C

T_C= 25 °C

1300

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

repetitive peak collector current

_P= 1 ms, T_C= 80°C

I_CRM

1600

9,6

Gesamt-Verlustleistung

total power dissipation

T_C=25°C, Transistor

P_tot

Gate-Emitter-Spitzenspannung

gate-emitter peak voltage

V_GES

+/- 20V

800

Dauergleichstrom

DC forward current

I_F

Periodischer Spitzenstrom

repetitive peak forw. Current

_P= 1 ms

I_FRM

1600

222.200

800

Grenzlastintegral der Diode

I2t - value, Diode

I²t

A²s

_R= 0V, t_p= 10ms, T_Vj= 125°C

Spitzenverlustleistung der Diode

maximum power dissipation diode

T_j= 125°C

P_RQM

V_ISOL

Isolations-Prüfspannung

insulation test voltage

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.

RMS, f = 50 Hz, Q_PD≤ 10 pC (acc. to IEC 1287)

6.000

2.600

Teilentladungs-Aussetzspannung

partial discharge extinction voltage

Charakteristische Werte / Characteristic values

min. typ. max.

Transistor / Transistor

I_C= 800 A, V_GE= 15V, Tvj = 25°C

V_{CE sat}

3,40

4,30

4,25

5,00

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung

collector-emitter saturation voltage

I_C= 800 A, V_GE= 15V, T_vj= 125°C

Gate-Schwellenspannung

gate threshold voltage

_C= 80 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE(th)

4,2

5,1

100

5,4

6,0

Eingangskapazität

input capacitance

f = 1MHz,T_vj= 25°C,V_CE= 25V, V_GE= 0V

C_ies

µC

Rückwirkungskapazität

reverse transfer capacitance

C_res

Gateladung

gate charge

_GE= -15V ... + 15V, V_CE= 1800V

Q_G

V_CE= 3300V, V_GE= 0V, T_vj= 25°C

V_CE= 3300V, V_GE= 0V, T_vj= 125°C

I_CES

0,1

Kollektor-Emitter Reststrom

collector-emitter cut-off current

100

Gate-Emitter Reststrom

gate-emitter leakage current

_CE= 0V, V_GE= 20V, T_vj= 25°C

I_GES

400

prepared by: Jürgen Göttert

date of publication : 08.06.99

revision: 2

approved by: Chr. Lübke; 20.07.99

Datenblatt FD 800 R 33 KF2 - K

20.07.99

1 (9)

12 3 4 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

与FD800R33KF2-K相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FD800R33KF2-KB5	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 1300A I(C), 3300V V(BR)CES,
FD800R33KL2C-K_B5	EUPEC	获取价格	IGBT-modules
FD800R33KL2CKB5NOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
FD800R45KL3-K_B5	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
FD800R45KL3KB5NPSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 4500V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9
FD8015B24W5-82	DBLECTRO	获取价格	DC Fan
FD8015B24W7-81	DBLECTRO	获取价格	DC Fan
FD8015B24W9-81	DBLECTRO	获取价格	DC Fan
FD8015F05W5-83	DBLECTRO	获取价格	DC Fan
FD8015L24W1-82	DBLECTRO	获取价格	DC Fan

与FD800R33KF2-K相关文章

国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

25
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

10
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
2024-11-14

11
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

32

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

FD800R33KF2-K

FD800R33KF2-K 技术参数

FD800R33KF2-K 数据手册

与FD800R33KF2-K相关器件

与FD800R33KF2-K相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

FD800R33KF2-K

FD800R33KF2-K 技术参数

FD800R33KF2-K 数据手册

与FD800R33KF2-K相关器件

与FD800R33KF2-K相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？