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FD6M043N08

更新时间： 2024-11-21 03:00:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
9页 661K
描述
75V/65A Synchronous Rectifier Module

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FD6M043N08 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：IN-LINE, R-PZIP-T15针数：15
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.36雪崩能效等级（Eas）：681 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：75 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：65 A
最大漏极电流 (ID)：65 A最大漏源导通电阻：0.0043 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PZIP-T15
元件数量：2端子数量：15
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FD6M043N08 数据手册

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March 2008  
Power-SPMTM  
FD6M043N08  
75V/65A Synchronous Rectifier Module  
tm  
General Features  
General Description  
The FD6M043N08 is one product in the Power-SPMTM family  
that Fairchild has newly developed and designed to be most  
suitable for more compact and more efficient synchronous recti-  
fication applications such as internet server power supplies and  
telecom system power supplies. For higher efficiency, it includes  
built-in very low RDS(ON) MOSFETs. This Power-SPM device  
can be used in the secondary side of the PWM transformer of  
forward/bridge converter to provide high current rectification at  
output voltages ranging from 12 Volts down to 5 Volts. With this  
product, it is possible to design the secondary side of power  
supply systems with reduced parasitic elements resulting in  
minimized voltage spike and EMI noise.  
•
•
•
Very High Rectification Efficiency at Output 12V  
Integrated Solution for Saving Board Space  
RoHS Compliant  
MOSFET Features  
Applications  
•
•
•
•
•
•
High Current Isolated Converter  
Distributed Power Architectures  
Synchronous Rectification  
DC/DC Converter  
•
•
•
•
•
•
•
VDSS = 75V  
QG(TOTAL) = 99nC(Typ.), VGS = 10V  
RDS(ON) = 3.5mΩ(Typ.), VGS = 10V, ID = 40A  
Low Miller Charge  
Battery Supplied Application  
ORing MOSFET  
Low Qrr Body Diode  
UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)  
Fully Isolated Package  
1
15  
EPM15 Package  
Block Diagram  
10  
9
G2  
D2  
15  
8
Q2  
14  
13  
12  
11  
G1  
6
7
S2  
Q1  
S1  
D1  
1
2
3
4
5
Figure 1. FD6M043N08 Module Block Diagram  
©2008 Fairchild Semiconductor Corporation  
FD6M043N08 Rev. A  
1
www.fairchildsemi.com  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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