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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FD6M045N06
FD6M045N06 PDF预览

FD6M045N06

更新时间： 2024-11-21 03:28:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关
页数 文件大小 规格书
9页 557K
描述
60V/60A Synchronous Rectifier Module

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FD6M045N06 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：IN-LINE, R-PZIP-T15针数：15
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.36雪崩能效等级（Eas）：794 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：60 A
最大漏源导通电阻：0.0045 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PZIP-T15元件数量：2
端子数量：15工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：ZIG-ZAG处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FD6M045N06 数据手册

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March 2008  
Power-SPMTM  
FD6M045N06  
60V/60A Synchronous Rectifier Module  
tm  
General Features  
General Description  
The FD6M045N06 is one product in the Power-SPMTM family  
that Fairchild has newly developed and designed to be most  
suitable for more compact and more efficient synchronous recti-  
fication applications such as internet server power supplies and  
telecom system power supplies. For higher efficiency, it includes  
built-in very low RDS(ON) MOSFETs. This Power-SPM device  
can be used in the secondary side of the PWM transformer of  
forward/bridge converter to provide high current rectification at  
output voltages ranging from 12 Volts down to 5 Volts. With this  
product, it is possible to design the secondary side of power  
supply systems with reduced parasitic elements resulting in  
minimized voltage spike and EMI noise.  
•
•
•
Very High Rectification Efficiency at Output 12V  
Integrated Solution for Saving Board Space  
RoHS Compliant  
MOSFET Features  
Applications  
•
•
•
•
•
•
High Current Isolated Converter  
Distributed Power Architectures  
Synchronous Rectification  
DC/DC Converter  
•
•
•
•
•
•
•
VDSS = 60V  
QG(TOTAL) = 66nC(Typ.), VGS = 10V  
RDS(ON) = 3.6mΩ(Typ.), VGS = 10V, ID = 40A  
Low Miller Charge  
Battery Supplied Application  
ORing MOSFET  
Low Qrr Body Diode  
UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)  
Fully Isolated Package  
1
15  
EPM15 Package  
Block Diagram  
10  
9
G2  
D2  
15  
8
Q2  
14  
13  
12  
11  
G1  
6
7
S2  
Q1  
S1  
D1  
1
2
3
4
5
Figure 1. FD6M045N06 Module Block Diagram  
©2008 Fairchild Semiconductor Corporation  
FD6M045N06 Rev. A1  
1
www.fairchildsemi.com  
1234567...9

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