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FCB61C1025-35T

更新时间: 2024-11-18 19:47:39
品牌 Logo 应用领域
飞利浦 - PHILIPS 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
4页 168K
描述
SRAM Module, 128KX8, 35ns, CMOS, PDSO32

FCB61C1025-35T 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SOP, SOP32,.56Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:35 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G32
JESD-609代码:e0内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:SRAM MODULE内存宽度:8
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:128KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装等效代码:SOP32,.56封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.003 A最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.08 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

FCB61C1025-35T 数据手册

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