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FCB61C251-45P

更新时间: 2024-02-10 23:21:43
品牌 Logo 应用领域
飞利浦 - PHILIPS 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
4页 155K
描述
Standard SRAM, 256KX1, 45ns, CMOS, PDIP24

FCB61C251-45P 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP24,.3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:45 ns
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-PDIP-T24
JESD-609代码:e0内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:1
端子数量:24字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:256KX1输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP24,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.01 A最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.12 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

FCB61C251-45P 数据手册

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