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FC807

更新时间： 2024-01-18 03:46:02
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三洋 - SANYO 二极管开关测试
页数 文件大小 规格书
2页 48K
描述
High-Speed Switching Composite Diode Anode Common

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FC807 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-PDSO-G6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.84
其他特性：HIGH SPEED SWITCH配置：COMMON ANODE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-G6元件数量：4
端子数量：6最大输出电流：0.1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE认证状态：Not Qualified
最大反向恢复时间：0.008 µs表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL

FC807 数据手册

 浏览型号FC807的Datasheet PDF文件第2页 
Ordering number:EN4337A  
FC807  
Silicon Epitaxial Planar Type  
High-Speed Switching Composite Diode  
(Anode Common)  
Features  
Package Dimensions  
unit:mm  
· Composite type with 4diodes contined in the CP  
package currently in use, improving the mouting  
efficiency greatly.  
1249A  
[FC807]  
· Fast switching speed.  
1:Cathode  
2:Cathode  
3:Cathode  
4:Anode  
5:Cathode  
SANYO:CP5  
Specifications  
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C  
Parameter  
Peak Reverse Voltage  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
85  
80  
V
V
RM  
Reverse Voltage  
V
R
Surge Current  
I
10ms*  
2
A
FSM  
Average Rectified Current  
Peak Forward Current  
Allowable Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
I
*
100  
300  
200  
150  
mA  
mA  
mW  
O
I
*
FM  
P*  
Tj  
˚C  
˚C  
Tstg  
–55 to +150  
Note*:Unit rating. The total rating is 150% of the unit rating.  
Electrical Characteristics at Ta = 25˚C  
Ratings  
typ  
0.72  
Parameter  
Symbol  
Conditons  
Unit  
min  
max  
1.0  
Forward Voltage  
Reverse Current  
V
F
I =10mA  
F
I =100mA  
F
V
0.88  
1.2  
0.1  
0.5  
9.0  
8.0  
V
I
V
V
V
=50V  
µA  
µA  
pF  
ns  
R
R
R
R
=80V  
Interterminal Capacitance  
Reverse Recovery Time  
C
=0V, f=1MHz  
4.5  
trr  
I =10mA, V =6V, R =50Ω, i =0.1Irp  
rr  
F
R
L
Note:The specifications shown above are for individual diode.  
Marking:807  
Electrical Connection  
Reverse Recovery Time Test Circuit  
1:Cathode  
2:Cathode  
3:Cathode  
4:Anode  
5:Cathode  
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Bussiness Headquaters  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN  
52098HA (KT)/12097GI/82093YH (KOTO) X-7218 No.4337-1/2  
12

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