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FC808

更新时间： 2024-09-26 22:31:47
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三洋 - SANYO 二极管开关测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 49K
描述
High-Speed Switching Composite Diode Cathode Common

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FC808 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：R-PDSO-G5针数：5
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.87
Is Samacsys：N其他特性：FAST SWITCHES
配置：COMMON CATHODE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1 V
JESD-30 代码：R-PDSO-G5JESD-609代码：e0
元件数量：4端子数量：5
最大输出电流：0.1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.3 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：85 V
最大反向电流：0.1 µA最大反向恢复时间：0.005 µs
反向测试电压：50 V子类别：Signal Diodes
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

FC808 数据手册

 浏览型号FC808的Datasheet PDF文件第2页 
Ordering number :EN4338A  
FC808  
Silicon Epitaxial Plannar Type  
High-Speed Switching Composite Diode  
(Cathode Common)  
Features  
Package Dimensions  
unit:mm  
· Composite type with 4 diodes contained in the CP  
package currently in use, saving the mounting space  
greatly.  
1250A  
[FC808]  
· Fast switching speed.  
1:Anode  
2:Anode  
3:Anode  
4:Cathode  
5:Anode  
Specifications  
SANYO:CP5  
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C  
Parameter  
Peak Reverse Voltage  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
85  
80  
V
V
RM  
Reverse Voltage  
V
R
Surge Current  
I
10ms*  
2
A
FSM  
Average Rectified Current  
Peak Forward Current  
Allowable Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
I
100  
300  
200  
150  
mA  
mA  
mW  
˚C  
O*  
I
FM*  
P*  
Tj  
Tstg  
–55 to +150  
˚C  
Note) *:Unit rating. The total rating is 150% of the unit rating.  
Electrical Characteristics at Ta = 25˚C  
Ratings  
typ  
0.72  
Unit  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
min  
max  
1.0  
Forward Voltage  
Reverse Current  
V
F
I =10mA  
F
I =100mA  
F
V
0.92  
1.2  
0.1  
0.5  
7.0  
5.0  
V
I
V
V
V
=50V  
µA  
µA  
pF  
ns  
R
R
R
R
=80V  
Interterminal Capacitance  
Reverse Recovery Time  
C
=0V, f=1MHz  
4.0  
trr  
I =10mA, V =6V, R =5Ω, Irr=0.1Irp  
F
R
L
Note) The specifications shown above are for each individual diode.  
· Marking:808  
Reverse Recovery Time Test Circuit  
Electrical Connection  
1:Anode  
2:Anode  
3:Anode  
4:Cathode  
5:Anode  
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Bussiness Headquarters  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN  
22898HA (KT)/O3196GI/82093YH (KOTO) X-7219 No.4338-1/2  
12

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