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FBA75CA45

更新时间： 2024-02-06 08:57:02
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MOSFET MODULE

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FBA75CA45 数据手册

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MOSFET MODULE  
FBA75CA45/50  
UL;E76102（M）  
FBA75CA45/50 is a dual power MOSFET module designed for fast swiching  
applications of high voltage and current.（2 devices are serial connected.） The  
mounting base of the module is electrically isolated from semiconductor elements for  
simple heatsink construction.  
107.5±0.6  
93±0.3  
4-M5  
●
D
DSS  
I ＝75A, V ＝500V  
2-φ6.5  
1
2
3
4
● Suitable for high speed switching applications.  
● Low ON resistance.  
● Wide Safe Operating Areas.  
19  
19  
19  
（Applications）  
TAB=110（T0.5）�  
UPS（CVCF）, Motor Control, Switching Power Supply, etc.  
NAME PLATE  
i G2  
u S2  
S1  
r
D2 S1  
q
S2  
D1  
w e  
y
t G1  
S1  
Unit：  
A
■Maximum Ratings  
（Tj＝25℃ unless otherwise specified）  
Ratings  
Unit  
Symbol  
Item  
Conditions  
FBA75CA45 FBA75CA50  
DSS  
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
450  
500  
V
V
GSS  
V
±20  
75  
D
I
D.C.  
Duty＝36%  
Tc＝25℃  
Drain  
A
Current  
DP  
I
Pulse  
150  
75  
D
-I  
Source Current  
A
W
℃
℃
V
T
P
Total Power Dissipation  
Channel Temperature  
Storage Temperature  
Isolation Voltage（R.M.S.）  
400  
150  
Tj  
Tstg  
－40 to ＋125  
2500  
ISO  
V
A.C. 1minute  
Mounting（M6） Recommended Value 2.5  
Terminal（M5） Recommended Value 1.5  
Typical Value  
-
-
3.9（25  
2.5（15  
-
-
40）  
25）  
4.7（48）  
2.7（28）  
220  
Mounting  
Torque  
N･m  
（kgf･B）  
Mass  
g
■Electrical Characteristics  
（Tj＝25℃ unless otherwise specified）  
Ratings  
Unit  
Symbol  
Item  
Conditions  
Min.  
Typ.  
Max.  
±1.0  
1.0  
GSS  
I
Gate Leakage Current  
GS  
DS  
A
μ
V
＝±20V，V ＝0V  
DSS  
I
Zero Gate Voltage Drain Current  
GS  
V
DS  
mA  
＝0V，V ＝500V  
FBA75CA45  
FBA75CA50  
450  
500  
1.0  
Drain-Source  
Breakdown Voltage  
（BR）DSS  
V
GS  
D
V
V
＝0V，I ＝1mA  
GS（th）  
V
Gate-Source Threshold Voltage  
Drain-Source On-State Resistance  
Drain-Source On-State Voltage  
Forward Transconductance  
Input Capacitance  
DS  
GS  
D
5.0  
0.10  
4.0  
V
Ω
V
V ＝V ，I ＝10mA  
DS（on）  
R
D
GS  
I ＝40A，V ＝15V  
DS（on）  
V
D
GS  
I ＝40A，V ＝15V  
gfs  
Ciss  
DS  
D
40  
S
V ＝10V，V ＝40A  
GS  
V
DS  
13500  
2500  
1000  
pF  
pF  
pF  
＝0V，V ＝25V，f＝1.0MHz  
Coss  
Crss  
td（on）  
tr  
Output Capacitance  
GS  
V
DS  
＝0V，V ＝25V，f＝1.0MHz  
Revers e Trans fer Capacitance  
Turn-on Delay Time  
GS  
V
DS  
＝0V，V ＝25V，f＝1.0MHz  
60  
120  
700  
210  
Rise Time  
Switching  
Time  
L
GS  
GS  
R ＝7.5Ω，R ＝50Ω，V ＝15V  
ns  
D
G
I ＝40A，R ＝5Ω  
Turn-off Delay Time  
Fall Time  
td（off）  
tf  
SDS  
V
Diode Forward Voltage  
Reverse Recovery Time  
Thermal Resistance  
D
GS  
1.5  
V
ns  
ーI ＝40A，V ＝0V  
trr  
D
GS  
700  
ーI ＝40A，V ＝0V，di/dt＝100A/μs  
0.31  
Rth（j-c）  
℃/W  
SanRex 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050-4618 PH.(516)625-1313 FAX(516)625-8845 E-mail: semi@sanrex.com  
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