FBAT54CDW

更新时间： 2024-01-13 01:56:55

品牌	Logo	应用领域
江苏长电/长晶 - CJ		二极管
页数	文件大小	规格书
4页	180K
描述
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE ARRAYS

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FBAT54CDW 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.59
Base Number Matches：	1

FBAT54CDW 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

WBFBP-06C Plastic-Encapsulate Diodes

WBFBP-06C

FBAT54CDW

SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE ARRAYS

(2×2×0.5)

unit: mm

DESCRIPTION

Silicon epitaxial planar

PN Junction Guard Ring for Schottky Diode

FEATURES

Low Forward Voltage Drop

Fast Switching SCHOTTKY DIODE

APPLICATION

Ultra high speed switching, rectifiers

For portable equipment:(i.e. Mobile phone,MP3, MD,CD-ROM,

DVD-ROM, Note book PC, etc.)

FBAT54CDW

Marking:KL7

Maximum Ratings @T_A=25℃

Parameter

Symbol

Limits

Unit

Peak Repetitive reverse voltage

DC Blocking Voltage

V_RM

V_R

100

150

Average Rectified Output Current

Power Dissipation

I_O

P_D

125

Junction temperature

T_J

℃

-65-125

Storage temperature range

T_STG

ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Tamb=25℃

unless otherwise specified）

Parameter

Symbol

V_(BR)

I_R

Test conditions

I_R= 100μA

MIN

MAX

UNIT

Reverse breakdown voltage

Reverse voltage leakage current

V_R=25V

I_F=0.1mA

I_F=1mA

240

320

Forward

voltage

V_F

I_F=10mA

I_F=30mA

I_F=100mA

400

500

1000

Total capacitance

C_T

t _{r r}

V_R=1V,f=1MHz

I_F=10mA, I_R=10mA~1mA

Reverse recovery time

R_L=100Ω

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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FBAT54TW	CJ	获取价格	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE ARRAYS
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