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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3.5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 3.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.21 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e0 |
| 湿度敏感等级： | 2 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | DUAL GATE, ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| F4H3ND | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 4A I(D) | SO |
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| F4H3P | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | SO |
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| F4H3PD | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | SO |
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| F4K3 | EDAL |
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Silicon Power Rectifiers |
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| F4M-10 | APITECH |
获取价格 |
Fixed Attenuator, 0MHz Min, 18000MHz Max, PACKAGE |
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| F4M1-10 | APITECH |
获取价格 |
Fixed Attenuator, 0MHz Min, 18000MHz Max, |
|
| F4M3 | EDAL |
获取价格 |
Silicon Power Rectifiers |
|
| F4M-40 | APITECH |
获取价格 |
Fixed Attenuator, 0MHz Min, 18000MHz Max, PACKAGE |
|
| F4M-50 | APITECH |
获取价格 |
Fixed Attenuator, 0MHz Min, 18000MHz Max, PACKAGE |
|
| F4M-60 | APITECH |
获取价格 |
Fixed Attenuator, 0MHz Min, 18000MHz Max, PACKAGE |
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