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F3L150R12W2H3_B11

更新时间： 2024-02-27 19:44:02

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英飞凌 - INFINEON		栅
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14页	1232K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor,

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F3L150R12W2H3_B11 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.7	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

F3L150R12W2H3_B11 数据手册

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技术信息ꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-模块

IGBT-Module

F3L150R12W2H3_B11

EasyPACKꢀ模块ꢀ采用第二类中点钳位拓扑ꢀ(NPC2)ꢀ带有pressfit压接管脚和温度检测NTC

EasyPACKꢀmoduleꢀwithꢀactiveꢀ"NeutralꢀPointꢀClampꢀ2"ꢀtopologyꢀandꢀPressFITꢀ/ꢀNTC

V_CES= 1200V

I_{C nom}= 75A / I_CRM= 150A

典型应用

TypicalꢀApplications

• 3-Level-Applications

• SolarꢀApplications

• 三电平应用

• 太阳能应用

电气特性

ElectricalꢀFeatures

• HighꢀSpeedꢀIGBTꢀH3

• LowꢀSwitchingꢀLosses

• T_vjꢀopꢀ=ꢀ150°C

• 高速IGBTꢀH3

• 低开关损耗

• T_vjꢀopꢀ=ꢀ150°C

机械特性

MechanicalꢀFeatures

• PressFITꢀ压接技术

• 符合RoHS

• PressFITꢀContactꢀTechnology

• RoHSꢀcompliant

ModuleꢀLabelꢀCode

BarcodeꢀCodeꢀ128

ContentꢀofꢀtheꢀCode

ModuleꢀSerialꢀNumber

Digit

1ꢀ-ꢀꢀꢀ5

ModuleꢀMaterialꢀNumber

ProductionꢀOrderꢀNumber

Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)

Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)

6ꢀ-ꢀ11

12ꢀ-ꢀ19

20ꢀ-ꢀ21

22ꢀ-ꢀ23

DMXꢀ-ꢀCode

preparedꢀby:ꢀCM

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2014-11-26

revision:ꢀ3.0

approvedꢀby:ꢀAKDA

ULꢀapprovedꢀ(E83335)

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与F3L150R12W2H3_B11相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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