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ESDULC5V0M5

更新时间： 2024-04-09 19:02:35

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		/
页数	文件大小	规格书
4页	4103K
描述
Tape : 3K/Reel , 120K/Ctn;

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ESDULC5V0M5 数据手册

ESDULC5V0M5

Parameter

Peak Reverse Working Voltage

Reverse Leakage Current @ VRWM

Breakdown Voltage @ IT

Test Current

Symbol

V_RWM

I_R

I_F

V_BR

V_C

_BRV_RWM

I_PP

Maximum Reverse Peak Pulse Current

Clamping Voltage @ IPP

Peak Pulse Power

I_R

I_T

V_F

V_C

P_PK

C_J

Junction Capacitance

I_PP

I_F

Forward Current

V_F

Forward Voltage @ IF

Electrical Characteristics @ 25°C (Unless Otherwise Specified)

Parameter

Conditions

Symbol

V_RWM

V_BR

I_R

Min.

Typ.

Max.

Units

Reverse Working Voltage

Reverse Breakdown Voltage

Reverse Leakage Current

Forward Voltage

I_T=1mA

V_RWM=5V

0.5

1.2

μA

I_F=10mA

V_F

Clamping Voltage^Note1

I_PP=1A, t_P=8/20μs

I_PP=3A, t_P=8/20μs

V_R=0V, f=1MHz

TLP, t_P=100ns

V_C

Clamping Voltage^Note1

Junction Capacitance

V_C

C_J

0.5

0.8

Dynamic Resistance ^Note2

R_DYN

0.75

Note :

1.Non-repetitive current pulse 8/20µs exponential decay waveform according to IEC61000-4-5.

2.TLP parameter: Z0=50Ω, tp=100ns, tr=2ns, averaging window from 60ns to 80ns. RDYN is calculated from 4A to 16A.

Rev.4-1-11102023

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MCCSEMI.COM

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