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ESDBL7471BP

更新时间： 2024-11-19 14:53:51

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先科 - SWST		二极管
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3页	188K
描述
静电保护二极管

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ESDBL7471BP 数据手册

ESDBL7471BP

ESD Protection Diode

PINNING

DESCRIPTION

Anode

Features

• Low capacitance

• Low leakage current

• Low clamping voltage

Anode

Transparent top view

Simplified outline DFN1006-2B and symbol

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

P_PK

Value

Unit

Peak Pulse Power (tp = 8/20 µs)

Peak Pulse Current (tp = 8/20 µs)

I_PP

Air

Contact

± 20

ESD (IEC61000-4-2)

V_ESD

Power Dissipation

P_D

T_j

300

℃

Operation Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

- 55 to + 125

- 55 to + 150

T_stg

℃

Thermal Resistance

Parameter

Symbol

R_θJA

Value

400

Unit

Typical Thermal Resistance Junction to Ambient ¹⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

℃/W

Characteristics at T_a= 25℃

Parameter

Symbol

V_RWM

Min.

Typ.

Max.

5.3

Unit

Reverse Stand-Off Voltage

Reverse Breakdown Voltage

at I_R= 1 mA

V_(BR)R

I_R

Reverse Current

at V_R= 5.3 V

Clamping Voltage

V_C

at I_PP= 1 A, tp = 8/20 µs

ESD Clamping Voltage

at I_TLP= 4 A, tp = 0.2/100 ns

at I_TLP=16 A, tp = 0.2/100 ns

V_CL

16.7

31.6

Junction Capacitance

at V_R= 0 V, f = 1 MHz

Dynamic Resistance ¹⁾

C_j

0.4

R_dyn

1.2

Ω

¹⁾Dynamic Resistance calculated from I_TLP= 4A to I_TLP= 16 A .

1 / 3

Dated: 22/08/2023 Rev : 02

12 3

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