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ESDBLH3V3HP

更新时间： 2024-11-18 14:56:03

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先科 - SWST		二极管
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4页	179K
描述
静电保护二极管

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ESDBLH3V3HP 数据手册

ESDBLH3V3HP

ESD Protection Diode

PINNING

DESCRIPTION

Anode

Features

• Bidirectional device

• Low clamping voltage

• Low capacitance

Anode

Transparent top view

Simplified outline DFN1006-2H and symbol

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

P_PK

Value

Unit

Peak Pulse Power (tp = 8/20 µs)

Peak Pulse Current (tp = 8/20 µs)

IEC61000-4-2 (ESD)

I_PP

Air

Contact

± 30

V_ESD

Junction Temperature

T_j

150

℃

Storage Temperature Range

T_stg

- 55 to + 150

Characteristics at T_a= 25℃

Parameter

Symbol

V_RWM

Min.

Typ.

Max.

3.3

Unit

Working Peak Reverse Voltage

Reverse Breakdown Voltage

at I_T= 1 mA

V_(BR)R

0.4

Reverse Current

at V_RWM= 3.3 V

I_R

μA

Clamping Voltage

at I_PP= 7 A, tp = 8/20 µs

V_C

ESD Clamping Voltage

at I_TLP= 4 A, tp = 0.2/100 ns

at I_TLP=16 A, tp = 0.2/100 ns

V_CL

6.4

10.2

Junction Capacitance

at V_R= 0 V, f = 1 MHz

Dynamic Resistance ¹⁾

C_j

R_dyn

0.32

Ω

¹⁾Dynamic Resistance calculated from I_TLP= 4A to I_TLP= 16 A.

1 / 4

Dated: 28/12/2021 Rev : 02

12 3 4

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