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Datasheet > 二极管 > 瞬态抑制器> ESD5V3S1U-02LRH
ESD5V3S1U-02LRH PDF预览

ESD5V3S1U-02LRH

更新时间： 2024-02-03 12:38:42
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英飞凌 - INFINEON 瞬态抑制器二极管电视局域网
页数 文件大小 规格书
7页 561K
描述
Silicon TVS Diode

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ESD5V3S1U-02LRH 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DFN
包装说明：R-PBCC-N2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.8
Is Samacsys：N最小击穿电压：5.7 V
最大钳位电压：9 V配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：R-PBCC-N2最大非重复峰值反向功率耗散：66 W
元件数量：1端子数量：2
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性：UNIDIRECTIONAL认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：5.3 V子类别：Transient Suppressors
表面贴装：YES技术：AVALANCHE
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

ESD5V3S1U-02LRH 数据手册

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ESD5V3S1U-02LRH  
Silicon TVS Diode  
• ESD / transient protection of data and power lines  
in low voltage applications according to:  
IEC61000-4-2 (ESD): ± ±25 kV (air) 20 kV (contact)  
IEC61000-4-4 (EFT): 50 A / 2.5 kV (5/50 ns)  
IEC61000-4-5 (surge): 5.5 A / 66 W (8/20 µs)  
• Small form factor (0402 inch):  
3
1.0 x 0.6 x 0.4 mm  
•±Uni-directional, working voltage up to 5.3 V  
• Ultralow clamping voltage,  
protects against both positive and  
negative ESD strikes  
• Ultralow dynamic resistance 0.27Ω  
• Very fast response time  
• Pb-free (RoHS compliant) package  
• Qualified according AEC Q101  
Applications  
• Digital interfaces (medium speed)  
• Vcc protection  
• Keypad, trackball protection, camera, displays in:  
± mobile communications (smartphone,  
camera phone &±added functions e.g. mobile TV)  
• Digital consumer & computer electronics:  
laptops, PC, laserjet printer, photo printer, scanner,  
input devices (mouse, keyboard, remote control ...)  
• Industrial: security systems, sensors, white goods.  
ESD5V3S1U-02LRH  
1
2
Type  
ESD5V3S1U-02LRH  
Package  
TSLP-2-17  
Configuration  
1 line, uni-directional  
Marking  
E2  
2009-12-07  
1
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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