ESD3Z5V0, ESD3Z12
PPPM = 350 W
Tjmax = 125°C
VWM = 5 V, 12 V
VBRmin = 6 V, 13.3 V
ESD3Z5V0, ESD3Z12
ESD Protection Diodes in SMD
ESD-Schutzdioden in SMD
VPP
= ± 30 kV
Version 2018-03-23
SOD-323F
Typical Applications
ESD protection
Typische Anwendungen
ESD-Schutz
Data line and I/O port
protection
Schutz von Datenleitungen
und Ein-/Ausgängen
Standardausführung 1)
1.7±0.1
Commercial grade 1)
Features
Besonderheiten
Niedrige Sperrschicht-Kapazität
Niedriger Sperrstrom
Low junction capacitance
Low leakage current
Miniature case outline
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Miniatur-Gehäusebauform
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
R
Type
Code
Pb
V
Mechanical Data 1)
Mechanische Daten 1)
2.5±0.2
Taped and reeled
3000 / 7“
0.005 g
Gegurtet auf Rolle
Weight approx.
Gewicht ca.
Dimensions - Maße [mm]
Case material
UL 94V-0
260°C/10s
MSL = 1
Gehäusematerial
Type Code see next page
Type Code siehe nächste Seite
Solder & assembly conditions
Löt- und Einbaubedingungen
Maximum ratings 2)
Grenzwerte 2)
Peak pulse power dissipation (8/20 µs waveform)
Impuls-Verlustleistung (8/20 µs Impuls)
PPPM
IPPM
VPP
350 W 3)
24 A 3)
Peak pulse power current (8/20 µs waveform)
Impuls-Strom (8/20 µs Impuls)
ESD immunity (HBM, air discharge)
ESD-Festigkeit (HBM, Luftentladung)
IEC 61000-4-2
± 30 kV
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+125°C
-50...+150°C
Characteristics
Kennwerte
Junction capacitance
Sperrschichtkapazität
ESD3Z5V0
ESD3Z12
< 350 pF
< 150 pF
VR = 0 V, f = 1 MHz
CT
Thermal resistance junction to ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
< 400 K/W 4)
RthA
1
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
Non-repetitive pulse see curve IPP = f (t) / PPP = f (t)
2
3
Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Impulses, siehe Kurve IPP = f (t) / PPP = f (t)
4
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1