是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Not Recommended | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 |
针数: | 6 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 7.95 |
其他特性: | ESD PROTECTED | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 20 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 1.5 A |
最大漏极电流 (ID): | 1.5 A | 最大漏源导通电阻: | 0.24 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PDSO-F6 |
JESD-609代码: | e2 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 6 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 0.8 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin/Copper (Sn/Cu) |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
ES6U3 | ROHM | 4V Drive Nch+SBD MOSFET |
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ES6U3T2CR | ROHM | MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6 |
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ES6U3T2R | ROHM | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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ES6U41 | ROHM | 2.5V Drive Nch+SBD MOSFET |
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ES6U41_12 | ROHM | 2.5V Drive Nch+SBD MOSFET |
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ES6U41T2R | ROHM | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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