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ES6U2

更新时间： 2022-12-22 03:40:01

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罗姆 - ROHM		驱动
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1.5V Drive Nch+SBD MOSFET

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ES6U2 数据手册

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1.5V Drive Nch+SBD MOSFET

ES6U2

zStructure

zDimensions (Unit : mm)

Silicon N-channel MOSFET /

Schottky barrier diode

WEMT6

(6) (5) (4)

zFeatures

1) Nch MOSFET and schottky barrier diode

are put in WEMT6 package.

2) High-speed switching, Low On-resistance.

3) Low voltage drive (1.5V drive).

4) Built-in Low V^Fschottky barrier diode.

(1) (2) (3)

Abbriviated symbol : U02

zApplications

zInner circuit

Switching

(6)

(4)

(5)

zPackage specifications

Package

Taping

T2R

Type

Code

∗2

Basic ordering unit (pieces)

8000

(1)Gate

ES6U2

(2)Source

(3)Anode

(4)Cathode

(5)Drain

∗1

(1)

(2)

(3)

∗1 ESD protection diode

∗2 Body diode

(6)Drain

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

<MOSFET>

Parameter

Drain-source voltage

Symbol

Limits

20

Unit

V_DSS

V_GSS

I_D

V

10

Gate-source voltage

V

Continuous

Pulsed

1.5

3.0

0.5

3.0

A

Drain current

∗1

∗1

I_DP

A

Source current

(Body diode)

Continuous

Pulsed

I_S

A

I_SP

A

°C

Channel temperature

Power dissipation

Tch

P_D

150

0.7

∗2

W / ELEMENT

∗1 Pw≤10µs, Duty cycle≤1%

∗2 Mounted on a ceramic board

<Di>

Parameter

Symbol

V_RM

V_R

Limits

25

Unit

Repetitive peak reverse voltage

Reverse voltage

V

20

V

0.5

2.0

I_F

Forward current

A

∗1

I_FSM

Forward current surge peak

Junction temperature

Power dissipation

A

°C

Tj

P_D

150

0.5

∗2

W / ELEMENT

∗1 60Hz 1cyc.

∗2 Mounted on ceramic board

<MOSFET and Di>

Parameter

Symbol

Limits

0.8

Unit

W / TOTAL

°C

∗

Power dissipation

P_D

Range of storage temperature

∗ Mounted on a ceramic board

Tstg

−55 to +150

www.rohm.com

2009.12 - Rev.A

1/5

c

○ 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

12 3 4 5 6

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与ES6U2相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
ES6U2T2R	ROHM	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal	获取价格
ES6U3	ROHM	4V Drive Nch+SBD MOSFET	获取价格
ES6U3T2CR	ROHM	MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6	获取价格
ES6U3T2R	ROHM	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal	获取价格
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