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ES3MB

更新时间： 2024-11-01 03:34:51
品牌 Logo 应用领域
固锝 - GOOD-ARK 整流二极管光电二极管功效
页数 文件大小 规格书
2页 148K
描述
Super Fast Surface Mount Rectifiers Reverse Voltage 50 to 1000 Volts Forward Current 3.0 Amperes

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ES3MB 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-C2Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.27Is Samacsys：N
应用：EFFICIENCY配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.7 VJEDEC-95代码：DO-214AA
JESD-30 代码：R-PDSO-C2最大非重复峰值正向电流：100 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：3 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE最大重复峰值反向电压：1000 V
最大反向电流：10 µA最大反向恢复时间：0.035 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

ES3MB 数据手册

 浏览型号ES3MB的Datasheet PDF文件第2页 
ES3AB thru ES3MB  
Super Fast Surface Mount Rectifiers  
Reverse Voltage 50 to 1000 Volts Forward Current 3.0 Amperes  
Features  
‹ Glass passivated chip  
‹ Super fast switching for high efficiency  
‹ For surface mounted applications  
‹ Low forward voltage drop and high current capability  
‹ Low reverse leakage current  
‹ Plastic material has UL flammability classification 94V-0  
Mechanical Data  
‹ Case : Molded plastic  
‹ Polarity : Color band denote cathode  
‹ Weight : 0.003 ounce, 0.093 gram  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Ratings at 25oC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%  
ES  
3AB  
ES  
3BB  
ES  
3CB  
ES  
3DB  
ES  
3FB  
ES  
3GB  
ES  
3JB  
ES  
3KB  
ES  
3MB  
Parameter  
Symbols  
Units  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
50  
35  
50  
100  
70  
150  
105  
150  
200  
140  
200  
300  
210  
300  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
Volts  
Volts  
Volts  
Maximum DC blocking voltage  
Maximum average forward  
100  
1000  
I
3.0  
Amps  
@TL=100oC  
(AV)  
rectified current  
Peak forward surge current  
8.3ms single half sine-wave  
superimposed on rated load (JEDEC Method)  
IFSM  
100.0  
Amps  
Volts  
Maximum forward voltage @ 3.0A DC  
VF  
IR  
0.92  
1.25  
1.7  
Maximum DC reverse current  
at rated DC blocking voltage  
@ TJ=25oC  
10.0  
500  
uA  
uA  
@ TJ=125oC  
nS  
pF  
Maximum reverse recovery time (Note 1)  
Typical junction capacitance (Note 2)  
trr  
25  
45  
CJ  
Typical thermal resistance (Note 3)  
(Note 4)  
RθJL  
RθJA  
10  
50  
oC/W  
Operating junction temperature range  
Storage temperature range  
TJ  
-55 to +150  
-55 to +150  
oC  
oC  
TSTG  
Notes:  
1. Reverse Recovery Test Conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A  
2. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.  
3. Thermal Resistance junction to Lead.  
4. Thermal Resistance junction to Ambient.  
247  
12

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