ES2B-L-TP-HF

更新时间： 2024-11-20 13:07:43

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美微科 - MCC		二极管光电二极管功效
页数	文件大小	规格书
3页	903K
描述
RECTIFIER DIODE

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ES2B-L-TP-HF 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.56	Is Samacsys：	N
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	Base Number Matches：	1

ES2B-L-TP-HF 数据手册

M C C

ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ

ES2A

THRU

ES2M

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

21201 Itasca Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ

2 Amp Super Fast

Recovery

Silicon Rectifier

50 to 1000 Volts

Features

ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ

For Surface Mount Applications

Extremely Low Thermal Resistance

Easy Pick And Place

High Temp Soldering: 250°C for 10 Seconds At Terminals

Superfast Recovery Times For High Efficiency

Maximum Ratings

DO-214AC

(SMAJ) (High Profile)

Operating Temperature: -50°C to +150°C

Storage Temperature: -50°C to +150°C

Maximum Thermal Resistance; 20°C/W Junction To Lead

MCC

Catalog

Number

Device

Marking

Maximum

Recurrent

Peak Reverse

Voltage

50V

Maximum Maximum

Cathode Band

RMS

Voltage

Blocking

Voltage

50V

ES2A

ES2B

ES2C

ES2D

ES2G

ES2J

ES2K

ES2M

ES2A

ES2B

ES2C

ES2D

ES2G

ES2J

ES2K

ES2M

35V

70V

100V

150V

200V

400V

600V

800V

1000V

100V

105V

140V

280V

420V

560V

700V

150V

200V

400V

600V

800V

1000V

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

DIMENSIONS

Average Forward

Current

I_F(AV)

2.0A

T_J= 75°C

INCHES

MIN

.078

.067

.002

---

.035

.065

.205

.160

.100

MIN

1.98

1.70

.05

---

.89

1.65

5.21

4.06

2.57

DIM

MAX

.116

.089

.008

.02

.055

.096

.224

.180

.112

MAX

2.95

2.25

.20

NOTE

Peak Forward Surge

Current

I_FSM

50A

8.3ms, half sine

.51

1.40

2.45

5.69

4.57

2.84

Maximum

Instantaneous

Forward Voltage

ES2A-D

.975V

1.35V

1.60V

V_F

I_R

I_FM= 2.0A;

T_J= 25°C*

ES2G-K

ES2M

SUGGESTED SOLDER

PAD LAYOUT

Maximum DC

0.090”

Reverse Current At

Rated DC Blocking

Voltage

5mA

T_J= 25°C

150mA T_J= 100°C

Maximum Reverse

0.085”

Recovery Time

ES2A-D

50ns

T_rr

I_F=0.5A, I_R=1.0A,

I_rr=0.25A

ES2G-K

60ns

ES2M

100ns

0.070”

Typical Junction

Capacitance

C_J

25pF

Measured at

1.0MHz, V_R=4.0V

*Pulse test: Pulse width 200 msec, Duty cycle 2%

www.mccsemi.com

12 3

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与ES2B-L-TP-HF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ES2B-LTP-HF	MCC	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMA, 2 PIN
ES2B-M3/52T	VISHAY	获取价格	DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA
ES2B-M3/5BT	VISHAY	获取价格	DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA
ES2BP	MCC	获取价格	DIODE 2 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC, PLASTIC, HSMA, 2 PIN, Rectifier Diod
ES2BQ	YANGJIE	获取价格	SMB
ES2B-TP	MCC	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, P
ES2B-TP-HF	MCC	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC, HSMA, 2 PIN
ES2BV	RECTRON	获取价格	Reverse Voltage Vr : 100 V;Forward Current Io : 2.0 A;Max Surge Current : 75 A;Forward Vol
ES2BW	MDD	获取价格	SURFACE MOUNT GENERAL PURPOSE SILICON RECTIFIER
ES2C	VISHAY	获取价格	SURFACE MOUNT FAST EFFICIENT PLASTIC RECTIFIER

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