ES1JE-TP

更新时间： 2024-11-17 13:07:43

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美微科 - MCC		二极管光电二极管
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4页	305K
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ES1JE-TP 数据手册

NOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGNS

USE ES1A-LTP~ES1J-LTP SERIES

M C C

ES1A

THRU

ES1M

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

Features

•

Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"

•

Lead Free Finish/Rohs Compliant (Note1) ("P"Suffix designates

1 Amp Ultra Fast

Recovery

Compliant. See ordering information)

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisture Sensitivity Level 1

Silicon Rectifier

50 to 1000 Volts

High Temp Soldering: 260qC for 10 Seconds At Terminals

Superfast Recovery Times For High Efficiency

Maximum Ratings

Operating Temperature: -50qC to +150qC

Storage Temperature: -50qC to +150qC

Maximum Thermal Resistance; 15qC/W Junction To Lead

DO-214AC

(HSMA) (High Profile)

MCC

Part

Number

Maximum

Recurrent

Marking Peak Reverse

Voltage

Maximum

RMS

Voltage

Maximum

Blocking

Voltage

50V

Device

Cathode Band

ES1A

ES1B

ES1C

ES1D

ES1G

ES1J

ES1K

ES1M

ES1A

ES1B

ES1C

ES1D

ES1G

ES1J

ES1K

ES1M

50V

100V

150V

200V

400V

600V

800V

1000V

35V

70V

100V

150V

105V

140V

280V

420V

560V

700V

200V

400V

600V

800V

1000V

Electrical Characteristics @ 25qC Unless Otherwise Specified

Average Forward

Current

I_F(AV)

1.0A

T_a= 75qC

DIMENSIONS

INCHES

MIN

.078

.067

.002

---

MIN

Peak Forward Surge

Current

Maximum

Instantaneous

Forward Voltage

ES1A-D

ES1G-J

ES1K~M

Maximum DC

Reverse Current At

Rated DC Blocking

Voltage

I_FSM

30A

8.3ms, half sine

DIM

MAX

.116

.089

.008

.02

MAX

2.95

2.25

.20

NOTE

1.98

1.70

.05

---

.51

.035

.065

.205

.160

.100

.055

.096

.224

.180

.112

.89

1.40

2.45

5.69

4.57

2.84

1.65

5.21

4.06

2.57

V_F

.975V

1.35V

1.70V

I_FM= 1.0A;

T_J= 25qC*

SUGGESTED SOLDER

PAD LAYOUT

I_R

5PA

T_J= 25qC

0.090”

100PA T_J= 100qC

Maximum Reverse

Recovery Time

ES1A-D

0.085”

T_rr

C_J

50ns

75ns

100ns

I_F=0.5A, I_R=1.0A,

I_rr=0.25A

ES1G-K

ES1M

0.070”

Typical Junction

Capacitance

45pF

Measured at

1.0MHz, V_R=4.0V

*Pulse test: Pulse width 200 Psec, Duty cycle 2%

Note: 1. High Temperature Solder Exemptions Applied, see EU Directive Annex 7.

www.mccsemi.com

Revision: C

2013/01/01

1 of 4

12 3 4

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ES1JE-TP 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
RS1J-E3/61T	VISHAY	功能相似	Diode Switching 600V 1A 2-Pin SMA T/R
RS1J-13-F	DIODES	功能相似	1.0A SURFACE MOUNT FAST RECOVERY RECTIFIER
STTH1L06A	STMICROELECTRONICS	功能相似	TURBO 2 ULTRAFAST HIGH VOLTAGE RECTIFIER

与ES1JE-TP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ES1JF	SUNMATE	获取价格	1.0A patch fast recovery diode 600V SMAF series
ES1JF	PANJIT	获取价格	SURFACE MOUNT SUPERFAST RECTIFIER
ES1JF	SWST	获取价格	快恢复整流管
ES1JF	CJ	获取价格	SMAF
ES1JF	BL Galaxy Electrical	获取价格	1A,600V,35ns, Surface Mount Fast Recovery Rectifiers
ES1JF	RECTRON	获取价格	Reverse Voltage Vr : 600 V;Forward Current Io : 1.0 A;Max Surge Current : 30 A;Forward Vol
ES1JF	KEXIN	获取价格	Super-Fast Recovery Rectifier
ES1J-F	ANBON	获取价格	SMAF
ES1JF (ER1JF)	HOTTECH	获取价格	SMAF
ES1JFA	LGE	获取价格	暂无描述

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