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ER2001ACT

更新时间： 2024-02-22 06:01:57

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强茂 - PANJIT		二极管瞄准线分离技术隔离技术功效局域网快速恢复二极管
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描述
ISOLATION SUPERFAST RECOVERY RECTIFIER

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ER2001ACT 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ITO-220AB, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.26	其他特性：	LOW POWER LOSS
应用：	EFFICIENCY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	最大非重复峰值正向电流：	150 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	20 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	100 V
最大反向恢复时间：	0.035 µs	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

ER2001ACT 数据手册

ER2000CT~ER2006CT

ISOLATION SUPERFAST RECOVERY RECTIFIER

VOLTAGE 50 to 600 Volts CURRENT 20.0 Amperes

FEATURES

• Plastic package has Underwriters Laboratory

Flammability Classification 94V-O.

Flame Retardant Epoxy Molding Compound.

• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228

• Low power loss, high efficiency.

• Low forwrd voltge, high current capability

• High surge capacity.

• Super fast recovery times, high voltage.

• Epitaxial chip construction.

.058(1.47)

.042(1.07)

• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives

MECHANICALDATA

• Case: TO-220AB Molded plastic

• Terminals: Lead solderable per MIL-STD-750, Method 2026

• Polarity: As marked.

• Standard packaging: Any

• Weight: 0.0655 ounces, 1.859 grams.

MAXIMUMRATINGANDELECTRICALCHARACTERISTICSS

Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%

ER2000CT

ER2001CT ER2001ACT ER2002CT

ER2003CT

ER2004CT

ER2006CT

PARAMETER

SYMBOL

V_RRM

UNITS

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

100

150

105

150

200

140

200

20.0

150

300

400

600

Maximum RMS Voltage

V_RMS

V_{D C}

I_{F(AV )}

I_{FS M}

V_F

210

300

280

400

420

600

Maximum DC Blocking Voltage

100

Maximum Average Forward Current at Tc=90^oC

Peak Forward Surge Current : 8.3ms single half sine-wave

superimposed on rated load(JEDEC method)

Maximum Forward Voltage at 10A

0.95

1.3

1.7

Maximum DC Reverse Current T_J=25 ^OC

at Rated DC Blocking VoltageT_J=100 ^OC

500

µA

I_R

Maximum Reverse Recovery Time (Note 2)

Typical Junction capacitance (Note 1)

t_rr

100

C_J

3.0

^OC / W

^OC

Typical thermal Resistance (Note 3)

R_θJc

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J,T_{S TG}

-50 to +150

NOTES:

1. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 VDC.

2. Reverse Recovery Test Conditions: I_F=.5A, I_R=1A, Irr=.25A.

3. Both Bonding and Chip structure are available.

PAGE . 1

STAD-JUL.22.2009

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