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ER2002ST_T0_10001

更新时间： 2024-09-24 12:21:39
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强茂 - PANJIT 分离技术隔离技术快速恢复二极管
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4页 65K
描述
ISOLATION SUPERFAST RECOVERY RECTIFIER

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ER2002ST_T0_10001 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.39其他特性：LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：ISOLATED
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1 V
JEDEC-95代码：TO-247JESD-30 代码：R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：10 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：200 V
最大反向电流：10 µA最大反向恢复时间：0.025 µs
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

ER2002ST_T0_10001 数据手册

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ER2002ST  
ISOLATION SUPERFAST RECOVERY RECTIFIER  
VOLTAGE  
200 Volts  
CURRENT  
20 Amperes  
0.615(15.60)MAX.  
FEATURES  
0.520(13.20)  
0.504(12.80)  
0.185(4.70)  
0.169(4.30)  
• Plastic package has Underwriters Laboratory  
Flammability Classification 94V-O.  
0.402(10.20)  
0.385(9.80)  
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.  
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228  
• Low power loss, high efficiency.  
0.118(3.0)  
MIN.  
• Low forward voltage, high current capability  
• High surge capacity.  
0.599(15.20)  
0.582(14.80)  
• Super fast recovery times, high voltage.  
• Epitaxial chip construction.  
0.103(2.60)  
0.090(2.30)  
0.071(1.80)  
0.055(1.40)  
0.095(2.40)  
0.078(2.00)  
0.050(1.25)  
0.037(0.95)  
• Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives  
0.025(0.62)  
0.014(0.38)  
MECHANICAL DATA  
0.223(5.65)  
0.206(5.25)  
0.223(5.65)  
0.206(5.25)  
• Case: TO-3PS Molded plastic  
• Terminals: Lead solderable per MIL-STD-750, Method 2026  
• Polarity: As marked.  
• Standard packaging: Any  
• Weight: 0.1932 ounces, 5.48 grams.  
MAXIMUMRATINGANDELECTRICALCHARACTERISTICSS  
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%  
PARAMETER  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
SYMBOL  
VRRM  
VALUE  
200  
UNITS  
V
Maximum RMS Voltage  
VRMS  
VDC  
IF(AV)  
IFSM  
VF  
140  
200  
V
V
Maximum DC Blocking Voltage  
Maximum Average Forward Current  
per device  
per diode  
20  
10  
A
Peak Forward Surge Current : 8.3ms single half sine-wave  
superimposed on rated load (JEDEC method)  
per diode  
per diode  
per diode  
150  
A
Maximum Forward Voltage at 10A  
1
V
Maximum DC Reverse Current at Rated DC Blocking Voltage  
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)  
Typical Thermal Resistance (Note 2)  
IR  
10  
μA  
ns  
25  
2
trr  
per diode  
RθJC  
TJ,TSTG  
OC / W  
OC  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
NOTES:  
1. Reverse Recovery Test Conditions: IF=.5A, IR=1A, Irr=.25A.  
2. Semi-infinite heatsink.  
PAGE . 1  
August 3,2012-REV.00  
1234

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