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EPM1270T144C3N

更新时间： 2024-01-08 21:17:46

品牌	Logo	应用领域
英特尔 - INTEL		输入元件可编程逻辑
页数	文件大小	规格书
88页	982K
描述
Flash PLD, 6.2ns, 980-Cell, CMOS, PQFP144, 22 X 22 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, TQFP-144

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EPM1270T144C3N 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	QFP
包装说明：	22 X 22 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, TQFP-144	针数：	144
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	3.34
其他特性：	IT CAN ALSO OPERATE AT 3.3V	系统内可编程：	YES
JESD-30 代码：	S-PQFP-G144	JESD-609代码：	e3
JTAG BST：	YES	长度：	20 mm
湿度敏感等级：	3	专用输入次数：
I/O 线路数量：	116	宏单元数：	980
端子数量：	144	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：		组织：	0 DEDICATED INPUTS, 116 I/O
输出函数：	MACROCELL	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LFQFP	封装等效代码：	QFP144,.87SQ,20
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	1.5/3.3,2.5/3.3 V
可编程逻辑类型：	FLASH PLD	传播延迟：	6.2 ns
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.6 mm
子类别：	Programmable Logic Devices	最大供电电压：	2.625 V
最小供电电压：	2.375 V	标称供电电压：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	20 mm	Base Number Matches：	1

EPM1270T144C3N 数据手册

Chapter 5: DC and Switching Characteristics

5–25

Timing Model and Specifications

Table 5–33. MAX II Maximum Output Clock Rate for I/O

MAX II / MAX IIG

MAX IIZ

–3 Speed

Grade

–4 Speed

Grade

–5 Speed

Grade

–6 Speed

Grade

–7 Speed

Grade

–8Speed

I/O Standard

3.3-V LVTTL

Grade

MHz

304

220

200

150

304

220

200

150

304

220

200

150

304

220

200

150

304

220

200

150

304

220

200

150

304

3.3-V LVCMOS

2.5-V LVTTL

2.5-V LVCMOS

1.8-V LVTTL

1.8-V LVCMOS

1.5-V LVCMOS

3.3-V PCI

JTAG Timing Specifications

Figure 5–6 shows the timing waveforms for the JTAG signals.

Figure 5–6. MAX II JTAG Timing Waveforms

TMS

TDI

JCP

JPH

JPSU

JCL

JCH

TCK

TDO

JPXZ

JPZX

JPCO

JSSU

JSH

Signal

to be

Captured

JSXZ

JSZX

JSCO

Signal

to be

Driven

Table 5–34 shows the JTAG Timing parameters and values for MAX II devices.

Table 5–34. MAX II JTAG Timing Parameters (Part 1 of 2)

Symbol

_JCP(1)

Parameter

TCKclock period for V_CCIO1= 3.3 V

TCKclock period for V_CCIO1= 2.5 V

TCKclock period for V_CCIO1= 1.8 V

TCKclock period for V_CCIO1= 1.5 V

TCKclock high time

Min

55.5

62.5

100

143

Max

—

Unit

—

t_JCH

t_JCL

—

TCK clock low time

—

MAX II Device Handbook

1...80 81 828384 85 86...88

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