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EPA240B

更新时间： 2024-11-08 06:57:35
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EXCELICS /
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2页 40K
描述
High Efficiency Heterojunction Power FET

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EPA240B 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
Base Number Matches：1

EPA240B 数据手册

 浏览型号EPA240B的Datasheet PDF文件第2页 
EPA240B/EPA240BV  
Excelics  
DATA SHEET  
High Efficiency Heterojunction Power FET  
960  
+32.5dBm TYPICAL OUTPUT POWER  
8.0dB TYPICAL POWER GAIN FOR EPA240B AND  
9.5dB FOR EPA240BV AT 18GHz  
0.3 X 2400 MICRON RECESSED “MUSHROOM” GATE  
Si3N4 PASSIVATION  
ADVANCED EPITAXIAL DOPING PROFILE  
PROVIDES HIGH POWER EFFICIENCY,  
LINEARITY AND RELIABILITY  
•
•
156  
50  
D
D
G
D
G
48  
D
G
•
•
•
350  
100  
G
40  
120  
50  
95  
EPA240BV WITH VIA HOLE SOURCE GROUNDING  
Idss SORTED IN 60mA PER BIN RANGE  
•
•
Chip Thickness: 75 ± 20 microns  
All Dimensions In Microns  
:
Via Hole  
No Via Hole For EPA240B  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25 OC)  
SYMBOLS  
PARAMETERS/TEST CONDITIONS  
EPA240B  
TYP  
UNIT  
EPA240BV  
MIN  
MAX  
MIN  
TYP  
MAX  
Output Power at 1dB Compression  
Vds=8V, Ids=50% Idss  
f=12GHz  
f=18GHz  
31.0  
32.5  
32.5  
31.0  
32.5  
32.5  
P1dB  
G1dB  
PAE  
Idss  
Gm  
dBm  
dB  
%
Gain at 1dB Compression  
Vds=8V, Ids=50% Idss  
f=12GHz  
f=18GHz  
9.0  
10.5  
8.0  
10.5  
12.0  
9.5  
Gain at 1dB Compression  
Vds=8V, Ids=50% Idss  
f=12GHz  
44  
45  
Saturated Drain Current Vds=3V, Vgs=0V  
440  
480  
720  
940  
-2.5  
440  
480  
720  
940  
-2.5  
mA  
mS  
V
Transconductance  
Pinch-off Voltage  
Vds=3V, Vgs=0V  
Vds=3V, Ids=6mA  
760  
-1.0  
-15  
-14  
20  
760  
-1.0  
-15  
-14  
15  
Vp  
BVgd  
BVgs  
Rth  
Drain Breakdown Voltage Igd=2.4 mA  
Source Breakdown Voltage Igs=2.4mA  
Thermal Resistance (Au-Sn Eutectic Attach)  
-11  
-7  
-11  
-7  
V
V
oC/W  
MAXIMUM RATINGS AT 25OC  
SYMBOLS  
PARAMETERS  
EPA240B  
EPA240BV  
ABSOLUTE1  
CONTINUOUS2  
ABSOLUTE1  
CONTINUOUS2  
Vds  
Vgs  
Ids  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current  
12V  
8V  
12V  
8V  
-8V  
-3V  
-8V  
-3V  
Idss  
710mA  
20mA  
Idss  
Idss  
20mA  
Igsf  
Pin  
Forward Gate Current  
Input Power  
120mA  
30dBm  
120mA  
30dBm  
@ 3dB  
@ 3dB  
Compression  
Compression  
Tch  
Tstg  
Pt  
Channel Temperature  
Storage Temperature  
Total Power Dissipation  
175oC  
150oC  
175oC  
150oC  
-65/175oC  
-65/150oC  
-65/175oC  
-65/150oC  
6.8W  
5.7W  
9.1W  
7.6W  
Note: 1. Exceeding any of the above ratings may result in permanent damage.  
2. Exceeding any of the above ratings may reduce MTTF below design goals.  
Excelics Semiconductor, Inc., 2908 Scott Blvd., Santa Clara, CA 95054  
Phone: (408) 970-8664 Fax: (408) 970-8998 Web Site: www.excelics.com  
12

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