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EP4CE55F23C7

更新时间： 2024-02-14 02:54:19

品牌	Logo	应用领域
英特尔 - INTEL		栅
页数	文件大小	规格书
44页	663K
描述
Field Programmable Gate Array, 3491 CLBs, 472.5MHz, 55856-Cell, PBGA484, 23 X 23 MM, 1 MM PITCH, FBGA-484

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EP4CE55F23C7 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	BGA
包装说明：	23 X 23 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-484	针数：	484
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	5.21	最大时钟频率：	472.5 MHz
JESD-30 代码：	S-PBGA-B484	JESD-609代码：	e1
长度：	23 mm	湿度敏感等级：	3
可配置逻辑块数量：	3491	输入次数：	327
逻辑单元数量：	55856	输出次数：	327
端子数量：	484	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：		组织：	3491 CLBS
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	BGA
封装等效代码：	BGA484,22X22,40	封装形状：	SQUARE
封装形式：	GRID ARRAY	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	1.2,1.2/3.3,2.5 V	可编程逻辑类型：	FIELD PROGRAMMABLE GATE ARRAY
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	2.4 mm
子类别：	Field Programmable Gate Arrays	最大供电电压：	1.25 V
最小供电电压：	1.15 V	标称供电电压：	1.2 V
表面贴装：	YES	温度等级：	OTHER
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	1 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	23 mm
Base Number Matches：	1

EP4CE55F23C7 数据手册

Chapter 1: Cyclone IV Device Datasheet

1–9

Operating Conditions

The OCT resistance may vary with the variation of temperature and voltage after

calibration at device power-up. Use Table 1–10 and Equation 1–1 to determine the

final OCT resistance considering the variations after calibration at device power-up.

Table 1–10 lists the change percentage of the OCT resistance with voltage and

temperature.

Table 1–10. OCT Variation After Calibration at Device Power-Up for Cyclone IV Devices

Nominal Voltage

dR/dT (%/°C)

0.262

dR/dV (%/mV)

–0.026

3.0

2.5

1.8

1.5

1.2

0.234

–0.039

0.219

–0.086

0.199

–0.136

0.161

–0.288

Equation 1–1. Final OCT Resistance ^{(1), (2), (3), (4), (5), (6)}

(7)

R_V= (V₂– V₁) × 1000 × dR/dV –––––

(8)

R_T= (T₂– T₁) × dR/dT –––––

(9)

For R_x< 0; MF_x= 1/ (|R_x|/100 + 1) –––––

(10)

For R_x> 0; MF_x= R_x/100 + 1 –––––

(11)

MF = MF_V× MF_T–––––

(12)

R_final= R_initial× MF –––––

Notes to Equation 1–1:

(1) T₂is the final temperature.

(2) T₁is the initial temperature.

(3) MF is multiplication factor.

(4) R_finalis final resistance.

(5) R_initialis initial resistance.

(6) Subscript _xrefers to both _Vand _T.

(7) R_Vis a variation of resistance with voltage.

(8) R_Tis a variation of resistance with temperature.

(9) dR/dT is the change percentage of resistance with temperature after calibration at device power-up.

(10) dR/dV is the change percentage of resistance with voltage after calibration at device power-up.

(11) V₂is final voltage.

(12) V₁is the initial voltage.

March 2016 Altera Corporation

Cyclone IV Device Handbook,

Volume 3

1...6 7 8910 11 12...44

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
EP4CE55F23C7N	INTEL	获取价格	Field Programmable Gate Array, 3491 CLBs, 472.5MHz, 55856-Cell, PBGA484, 23 X 23 MM, 1 MM
EP4CE55F23C7N	ALTERA	获取价格	Field Programmable Gate Array, 3491 CLBs, 472.5MHz, 55856-Cell, PBGA484, 23 X 23 MM, 1 MM
EP4CE55F23C8	INTEL	获取价格	Field Programmable Gate Array, 3491 CLBs, 472.5MHz, 55856-Cell, PBGA484, 23 X 23 MM, 1 MM
EP4CE55F23C8L	INTEL	获取价格	Field Programmable Gate Array, 3491 CLBs, 362MHz, 55856-Cell, PBGA484, 23 X 23 MM, 1 MM PI
EP4CE55F23C8LN	INTEL	获取价格	Field Programmable Gate Array, 3491 CLBs, 362MHz, 55856-Cell, PBGA484, 23 X 23 MM, 1 MM PI
EP4CE55F23C8N	ALTERA	获取价格	Cyclone IV Device Datasheet
EP4CE55F23C8N	INTEL	获取价格	Field Programmable Gate Array, 3491 CLBs, 472.5MHz, 55856-Cell, PBGA484, 23 X 23 MM, 1 MM
EP4CE55F23I7	INTEL	获取价格	暂无描述
EP4CE55F23I7	ALTERA	获取价格	Field Programmable Gate Array, 3491 CLBs, 472.5MHz, 55856-Cell, PBGA484, 23 X 23 MM, 1 MM
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