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EP3CLS150F780I7N

更新时间： 2024-01-11 10:39:46

品牌	Logo	应用领域
英特尔 - INTEL		时钟栅可编程逻辑
页数	文件大小	规格书
32页	760K
描述
Field Programmable Gate Array, 150848 CLBs, 450MHz, 150848-Cell, CMOS, PBGA780, LEAD FREE, FBGA-780

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EP3CLS150F780I7N 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	LEAD FREE, FBGA-780	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991	HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	5.29	最大时钟频率：	450 MHz
JESD-30 代码：	S-PBGA-B780	JESD-609代码：	e1
长度：	29 mm	湿度敏感等级：	3
可配置逻辑块数量：	150848	输入次数：	413
逻辑单元数量：	150848	输出次数：	413
端子数量：	780	最高工作温度：	100 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	150848 CLBS
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	BGA
封装等效代码：	BGA780,28X28,40	封装形状：	SQUARE
封装形式：	GRID ARRAY	峰值回流温度（摄氏度）：	245
电源：	1.2,1.2/3.3,2.5 V	可编程逻辑类型：	FIELD PROGRAMMABLE GATE ARRAY
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	2.4 mm
子类别：	Field Programmable Gate Arrays	最大供电电压：	1.25 V
最小供电电压：	1.15 V	标称供电电压：	1.2 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	BALL	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	29 mm	Base Number Matches：	1

EP3CLS150F780I7N 数据手册

2–2

Chapter 2: Cyclone III LS Device Datasheet

Electrical Characteristics

Table 2–1. Cyclone III LS Devices Absolute Maximum Ratings ⁽¹⁾(Part 2 of 2)

Symbol

V_CCA

V_{CCD_PLL}

Parameter

Min

–0.5

Max

3.75

1.8

Unit

Supply (analog) voltage for PLL regulator

Supply (digital) voltage for PLL

Battery back-up power supply for design

security volatile key register

(2)

V_CCBAT

–0.5

3.75

V_I

DC input voltage

–0.5

–25

3.95

I_OUT

DC output current, per pin

Electrostatic discharge voltage using the human

body model

V_ESDHBM

V_ESDCDM

—

2000

500

Electrostatic discharge voltage using the

charged device model

T_STG

T_J

Storage temperature

–65

–40

150

125

°C

Operating junction temperature

Notes to Table 2–1:

(1) Supply voltage specifications apply to voltage readings taken at the device pins with respect to ground, not at the

power supply.

(2) V_CCBATis tied to Power-on reset (POR). If the V_CCBATis below 1.2 V, the device will not power up.

Maximum Allowed Overshoot or Undershoot Voltage

During transitions, input signals may overshoot to the voltage listed in Table 2–2 and

undershoot to –2.0 V for a magnitude of currents less than 100 mA and for periods

shorter than 20 ns.

Table 2–2 lists the maximum allowed input overshoot voltage and the duration of the

overshoot voltage as a percentage over the lifetime of the device. The maximum

allowed overshoot duration is specified as percentage of high-time over the lifetime of

the device.

Cyclone III Device Handbook

Volume 2

July 2012 Altera Corporation

123 4 5 6 7...32

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
EP3CLS200	ALTERA	获取价格	Cyclone III Device Handbook
EP3CLS200F484C7	ALTERA	获取价格	Field Programmable Gate Array, 198464 CLBs, 450MHz, 198464-Cell, CMOS, PBGA484, 23 X 23 MM
EP3CLS200F484C7	INTEL	获取价格	Field Programmable Gate Array, 198464 CLBs, 450MHz, 198464-Cell, CMOS, PBGA484, 23 X 23 MM
EP3CLS200F484C7N	INTEL	获取价格	Field Programmable Gate Array, 198464 CLBs, 450MHz, 198464-Cell, CMOS, PBGA484, LEAD FREE,
EP3CLS200F484C7N	ALTERA	获取价格	Field Programmable Gate Array, 198464 CLBs, 450MHz, 198464-Cell, CMOS, PBGA484, LEAD FREE,
EP3CLS200F484C8	ALTERA	获取价格	Field Programmable Gate Array, 198464 CLBs, 450MHz, 198464-Cell, CMOS, PBGA484, 23 X 23 MM
EP3CLS200F484C8	INTEL	获取价格	Field Programmable Gate Array, 198464 CLBs, 450MHz, 198464-Cell, CMOS, PBGA484, 23 X 23 MM
EP3CLS200F484C8N	INTEL	获取价格	Field Programmable Gate Array, 198464 CLBs, 450MHz, 198464-Cell, CMOS, PBGA484, LEAD FREE,
EP3CLS200F484I7	ALTERA	获取价格	Field Programmable Gate Array, 198464 CLBs, 450MHz, 198464-Cell, CMOS, PBGA484, 23 X 23 MM
EP3CLS200F484I7	INTEL	获取价格	Field Programmable Gate Array, 198464 CLBs, 450MHz, 198464-Cell, CMOS, PBGA484, 23 X 23 MM

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