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EP3CLS150F780I7N

更新时间： 2024-02-24 10:44:58

品牌	Logo	应用领域
英特尔 - INTEL		时钟栅可编程逻辑
页数	文件大小	规格书
32页	760K
描述
Field Programmable Gate Array, 150848 CLBs, 450MHz, 150848-Cell, CMOS, PBGA780, LEAD FREE, FBGA-780

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EP3CLS150F780I7N 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	LEAD FREE, FBGA-780	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991	HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	5.29	最大时钟频率：	450 MHz
JESD-30 代码：	S-PBGA-B780	JESD-609代码：	e1
长度：	29 mm	湿度敏感等级：	3
可配置逻辑块数量：	150848	输入次数：	413
逻辑单元数量：	150848	输出次数：	413
端子数量：	780	最高工作温度：	100 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	150848 CLBS
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	BGA
封装等效代码：	BGA780,28X28,40	封装形状：	SQUARE
封装形式：	GRID ARRAY	峰值回流温度（摄氏度）：	245
电源：	1.2,1.2/3.3,2.5 V	可编程逻辑类型：	FIELD PROGRAMMABLE GATE ARRAY
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	2.4 mm
子类别：	Field Programmable Gate Arrays	最大供电电压：	1.25 V
最小供电电压：	1.15 V	标称供电电压：	1.2 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	BALL	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	29 mm	Base Number Matches：	1

EP3CLS150F780I7N 数据手册

Chapter 2: Cyclone III LS Device Datasheet

2–3

Electrical Characteristics

A DC signal is equivalent to 100% of the duty cycle. For example, a signal that

overshoots to 4.2 V can only be at 4.2 V for 10.74% over the lifetime of the device; for a

device lifetime of 10 years, this is equivalent to 10.74% of ten years, which is 12.89

months.

Table 2–2. Cyclone III LS Devices Maximum Allowed Overshoot During Transitions over a 10-Year

Time Frame

Symbol

Parameter

Condition

V_I= 3.95 V

V_I= 4.0 V

Overshoot Duration as % of High Time

Unit

100

95.67

55.24

31.97

18.52

10.74

6.23

V_I= 4.05 V

V_I= 4.10 V

V_I= 4.15 V

V_I= 4.20 V

V_I= 4.25 V

V_I= 4.30 V

V_I= 4.35 V

V_I= 4.40 V

V_I= 4.45 V

V_I= 4.50 V

V_I= 4.60 V

V_I= 4.70 V

AC Input

Voltage

V_i

3.62

2.1

1.22

0.71

0.41

0.14

0.047

Figure 2–1 shows the methodology to determine the overshoot duration. In this

example, overshoot voltage is shown in red and is present on the input pin of the

Cyclone III LS device at over 4.1 V but below 4.2 V. From Table 2–1, for an overshoot

of 4.1 V, the percentage of high time for the overshoot can be as high as 31.97% over a

10-year period. Percentage of high time is calculated as ([delta T]/T) × 100. This

10-year period assumes the device is always turned on with 100% I/O toggle rate and

50% duty cycle signal. For lower I/O toggle rates and situations in which the device is

in an idle state, lifetimes are increased.

Figure 2–1. Cyclone III LS Devices Overshoot Duration

4.2 V

4.1 V

3.3 V

ΔT

July 2012 Altera Corporation

Cyclone III Device Handbook

Volume 2

1 234 5 6 7...32

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
EP3CLS200	ALTERA	Cyclone III Device Handbook	获取价格
EP3CLS200F484C7	ALTERA	Field Programmable Gate Array, 198464 CLBs, 450MHz, 198464-Cell, CMOS, PBGA484, 23 X 23 MM	获取价格
EP3CLS200F484C7	INTEL	Field Programmable Gate Array, 198464 CLBs, 450MHz, 198464-Cell, CMOS, PBGA484, 23 X 23 MM	获取价格
EP3CLS200F484C7N	INTEL	Field Programmable Gate Array, 198464 CLBs, 450MHz, 198464-Cell, CMOS, PBGA484, LEAD FREE,	获取价格
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