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EN29F040A-45JIP

更新时间： 2025-07-28 06:57:15
品牌 Logo 应用领域
EON 闪存存储内存集成电路
页数 文件大小 规格书
35页 272K
描述
4 Megabit (512K x 8-bit) Flash Memory

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EN29F040A-45JIP 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：QCCJ, LDCC32,.5X.6Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84Is Samacsys：N
最长访问时间：45 ns命令用户界面：YES
数据轮询：YES耐久性：100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-PQCC-J32内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
部门数/规模：8端子数量：32
字数：524288 words字数代码：512000
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：512KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：QCCJ封装等效代码：LDCC32,.5X.6
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
并行/串行：PARALLEL电源：5 V
认证状态：Not Qualified部门规模：64K
最大待机电流：0.000005 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.03 mA标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：QUAD
切换位：YES类型：NOR TYPE
Base Number Matches：1

EN29F040A-45JIP 数据手册

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EN29F040A  
EN29F040A  
4 Megabit (512K x 8-bit) Flash Memory  
FEATURES  
• JEDEC Standard program and erase  
commands  
• 5.0V operation for read/write/erase  
operations  
• JEDEC standard  
polling and toggle  
DATA  
• Fast Read Access Time  
bits feature  
- 45ns, 55ns, 70ns, and 90ns  
• Single Sector and Chip Erase  
• Sector Unprotect Mode  
• Sector Architecture:  
- 8 uniform sectors of 64Kbytes each  
- Supports full chip erase  
• Embedded Erase and Program Algorithms  
- Individual sector erase supported  
- Sector protection:  
Hardware locking of sectors to prevent  
program or erase operations within  
individual sectors  
• Erase Suspend / Resume modes:  
Read and program another Sector during  
Erase Suspend Mode  
• 0.23 µm triple-metal double-poly  
triple-well CMOS Flash Technology  
• High performance program/erase speed  
- Byte program time: 10µs typical  
- Sector erase time: 500ms typical  
- Chip erase time: 3.5s typical  
• Low Vcc write inhibit < 3.2V  
• 100K endurance cycle  
• Package Options  
- 32-pin PDIP  
• Low Standby Current  
- 1µA CMOS standby current-typical  
- 1mA TTL standby current  
- 32-pin PLCC  
• Low Power Active Current  
- 30mA active read current  
- 30mA program/erase current  
- 32-pin TSOP (Type 1)  
• Commercial and Industrial Temperature  
Ranges  
GENERAL DESCRIPTION  
The EN29F040A is a 4-Megabit, electrically erasable, read/write non-volatile flash memory.  
Organized into 512K words with 8 bits per word, the 4M of memory is arranged in eight uniform  
sectors of 64Kbytes each. Any byte can be programmed typically in 10µs. The EN29F040A  
features 5.0V voltage read and write operation, with access times as fast as 45ns to eliminate the  
need for WAIT states in high-performance microprocessor systems.  
The EN29F040A has separate Output Enable (  
), Chip Enable (  
), and Write Enable (  
)
W E  
OE  
CE  
controls, which eliminate bus contention issues. This device is designed to allow either single (or  
multiple) Sector or full chip erase operation, where each Sector can be individually protected against  
program/erase operations or temporarily unprotected to erase or program. The device can sustain a  
minimum of 100K program/erase cycles on each Sector.  
This Data Sheet may be revised by subsequent versions  
or modifications due to changes in technical specifications.  
©2003 Eon Silicon Solution, Inc., www.essi.com.tw  
Rev. B, Issue Date: 2004/04/01  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
EN29F040A-45PC EON

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